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晶體管放大電路有共射、共集、共基三種接法，場效應管有共源、共漏接法（與晶體管放大電路共射、共集接法相對應）。以下通過3個主要性能（放大倍數A、輸入電阻Ri、輸出電阻Ro）指標對晶體管三種基本接法進行比較。

一、共射級放大電路

基本的共射放大電路如上圖所示，在模電書里應該經常遇見，不過那時更多的是分析靜態(tài)工作點，交、直流放大倍數，然而在真正的電路設計中，R1和R2的取值范圍應該是多少呢？或者說它們應該如何取值呢？

已知NPN型管2N2219是硅型管，處于放大正常工作時飽和電壓Ube=0.7V。首先是對R1的選擇，2N2219的Ib最大值是800mA，僅僅選取R1使其電流值小于800mA顯然是不行的，一般Ib的電流值為幾mA到uA，因為Ic最大值是800mA，按照普通的100倍的放大倍數算Ib最大也只能到8mA。

按此標準就可以取值了，比如R1=10k(先分析分析看是否合適)，這時Ib=0.43mA,假設放大倍數是100倍(粗略估算，所以取這個值)則Ic=43mA，為了使三極管工作在放大區(qū)，必須要求Uce>Ube,則Uce起碼應該大于0.7V，恩，假設是1v(應該比這大，因為在動態(tài)條件下還會有一個交流信號，要防止出現飽和失真)，那么R2應該取值為R2=(12-1)V/43mA=256Ω，即R2不能比256大了(估算，放大倍數等等很多因素在，但是就是在這個附近)。所以可以取R2=200Ω及其以下(R2越小則Uce越大)。

仿真如下所示：

圖2 R2=50Ω

圖3 R2=200Ω

圖4 R2=350Ω，進入飽和區(qū)

如果R1=1k可以再計算一下，Ib=4.3mA,Ic=430mA,R2只能取26Ω以下，這樣一來就對電阻的要求太高了。

同時應該注意到一個現象，當R2=50Ω或200Ω的時候在Ib沒變時Ic發(fā)生了變化，從77.5mA變到了45.5mA，跟按照三極管輸出特性曲線好像不重合啊(好像跟飽和區(qū)的性質差不多：Ic隨Uce的增大而增大)。

下面說一下三極管的各種狀態(tài)：

圖5 三極管輸出特性曲線

其實圖上的只是在理想狀態(tài)下的曲線，在實際中平行的那部分應該也是向上的，只不過角度沒有在飽和區(qū)那么大罷了。而在判斷一個三極管是否在飽和區(qū)也不能看是否是Ic隨Uce的增大而增大，而應該看Ube增大時，Ib隨之增大，但Ic增大不多。

圖6 注意跟圖4比較，此時Ib明顯增大但Ic基本沒變

圖7 跟圖2比較，Ib增大時Ic也增大，處于放大區(qū)

二、共集電極放大電路

圖8 共集電極放大電路

圖8中的R1，R2如何選擇呢?由于R2是在發(fā)射極上，所以Uce電壓肯定大于5v，也就是說集電結反偏，這時只要保證發(fā)射結正偏而Ib電流值合適就可以了。所以R1，R2的選擇只用跟著十幾要求就可以了，比較廣泛，都可以從幾百歐到幾K。

R1的選取對電路電流的影響不大，關鍵是R2,R2越大基極和射極電流就越小。

三、共基極放大電路：

R1，R2應該選擇多少呢?

Ie一般都是在幾十mA，假定Ie=43mA、此時R1約為100Ω，Ic約等于Ie=43mA，為了保證Uce反向偏置，還要保證Uce>1v則R2最大取256Ω，根據Uo的輸出情況可以取R2為幾十到200之間。

三種接法比較：

1、共射電路既能放大電流又能放大電壓，輸入輸出電阻居三種電路之中，輸出電阻較大，頻帶較窄。常用作為低頻電壓放大電路的單元電路；

2、共集電路只能放大電流不能放大電壓，是三種接法中輸入電阻最大、輸出電阻最小的電路，具有電壓跟隨的特點，常用于電壓放大電路的輸入和輸出級；

3、共基電路只能放大電壓不能放大電流，輸出電阻小，電壓放大倍數、輸出電阻與共射電路相當，是三種接法中高頻特性最好的電路。常作為寬頻帶放大電路。