【限量10個(gè)】GD全球首款RISC-V內(nèi)核全功能開發(fā)板
2019-12-11 14:29:01閱讀量:2766
不久前,兆易創(chuàng)新GigaDevice宣布在行業(yè)內(nèi)率先將開源指令集架構(gòu)RISC-V引入通用微控制器領(lǐng)域,正式推出全球首個(gè)基于RISC-V內(nèi)核的GD32V系列32位通用MCU產(chǎn)品,提供從談芯片到程序代碼庫、開發(fā)套件、設(shè)計(jì)方案等完整工具鏈支持并持續(xù)打造RISC-V開發(fā)生態(tài)。
立創(chuàng)商城此前曾推出該系列的入門級開發(fā)板——GD32VF103C-START,但很快就售罄了。
>>全球首款,GD發(fā)布基于RISC-V內(nèi)核GD32V開發(fā)板!
這次給大家推薦的是GD32V的全功能開發(fā)板——GD32VF103VBT6-EVAL,已在立創(chuàng)商城上架,僅售455元,限量10個(gè)!
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性能參數(shù)
GD32VF103V-EVAL板采用基于RISC-V內(nèi)核的GD32VF103VBT6 MCU,GD32VF103系列是中國第一個(gè)基于RISC-V內(nèi)核的32位通用MCU產(chǎn)品,主頻高達(dá)108MHz,F(xiàn)lash高達(dá)128K,SRAM高達(dá)32K,片內(nèi)集成種類豐富、數(shù)量眾多的外設(shè),提供工業(yè)級的操作溫度(-40℃~85℃),面向“主流型開發(fā)需求”,具備“完整的兼容性”。GD32V系(RISC-V內(nèi)核)和經(jīng)典的GD32系列(ARM內(nèi)核)之間建立了快速通道,并搭建ARM和RISC-V的橋梁,可以實(shí)現(xiàn)跨內(nèi)核的產(chǎn)品選型和設(shè)計(jì)切換,在節(jié)省開發(fā)成本的同時(shí),給用戶帶來相同的使用體驗(yàn)。
芯片采用2.6V-3.6V供電,I/O口可承受5V電平。配備了1個(gè)支持三相PWM互補(bǔ)輸出和霍爾采集接口的16位高級定時(shí)器可用于矢量控制,還擁有多達(dá)4個(gè)16位通用定時(shí)器、2個(gè)16位基本定時(shí)器和2個(gè)多通道DMA控制器。全新設(shè)計(jì)的中斷控制器(ECLIC)提供了多達(dá)68個(gè)外部中斷并可嵌套16個(gè)可編程優(yōu)先級,以增強(qiáng)高性能控制的實(shí)時(shí)性。
GD32VF103V-EVAL實(shí)物正面
GD32VF103V-EVAL實(shí)物背面
接口參數(shù)
- 采用5V供電
- 板載GD Link仿真器
- 板載兩個(gè)COM口
- 板載JTAG接口
- 板載8080接口3.2寸TFT LCD
- 板載USB2.0FS
- 高達(dá)80個(gè)可用pin腳
其中,全新設(shè)計(jì)的I2C接口支持快速Plus (Fm+)模式, 頻率最高可達(dá)1 MHz (1Mbit/s),是以往速度的兩倍。SPI接口也已經(jīng)支持四線制并新增多種傳輸模式,還可方便擴(kuò)展Quad SPI NOR Flash實(shí)現(xiàn)高速訪問。內(nèi)置的USB 2.0 FSOTG接口可提供Device、HOST、OTG等多種模式。外部總線擴(kuò)展控制器(EXMC)更方便連接NOR Flash,SRAM等外部存儲器。
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新品集成了2個(gè)采樣率高達(dá)2.6M SPS的12位高速ADC,提供了多達(dá)16個(gè)可復(fù)用通道,并支持16-bit硬件過采樣濾波功能和分辨率可配置功能,還擁有2個(gè)12位DAC。多達(dá)80%的GPIO具有多種可選功能還支持端口重映射,持續(xù)以靈活豐富的連接性滿足主流開發(fā)應(yīng)用需求。

L7805CV-DG/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.5401 | |
AMS1117-3.3/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.1237 | |
BAT54C,215/肖特基二極管 | 0.0336 | |
LM358DR2G/運(yùn)算放大器 | 0.345 | |
CJ431/電壓基準(zhǔn)芯片 | 0.1157 | |
LM393DR2G/比較器 | 0.3153 | |
ADUM4160BRWZ-RL/隔離式USB芯片 | 34.83 | |
REF3012AIDBZR/電壓基準(zhǔn)芯片 | 0.9357 | |
SS8050/三極管(BJT) | 0.035 | |
8S005/錫膏/錫漿 | 17.67 |
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