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【美微科半導(dǎo)體】面向全球市場(chǎng)的高品質(zhì)分立半導(dǎo)體廠商

2020-09-28 15:27:40閱讀量:1854

MCC(美微科半導(dǎo)體)成立于1991年,美微科半導(dǎo)體在全球擁有廣泛的營(yíng)銷(xiāo)和銷(xiāo)售網(wǎng)絡(luò),是一家面向消費(fèi)者,工業(yè)市場(chǎng),醫(yī)療,通信和汽車(chē)市場(chǎng)的高品質(zhì)分立半導(dǎo)體制造商,通過(guò)卓越的客戶(hù)服務(wù)和持續(xù)的產(chǎn)品改進(jìn),在質(zhì)量、成本和交付方面超越客戶(hù)的期望。


MCC提供全面的高能效小信號(hào),二極管,整流橋,功率模塊 , MOS, 芯片 。目前約3200人 ,營(yíng)業(yè)額:人民幣20億元以上( 2017年、2018年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè))


>>查看美微科半導(dǎo)體產(chǎn)品詳情


產(chǎn)品推廣一:SGT MOFET


  

  


SGT MOSFET優(yōu)勢(shì):

當(dāng)掩埋源耗盡漂移區(qū)時(shí),增加BVDSS(場(chǎng)板效應(yīng)),漂移區(qū)的高氮摻雜使RDSon)最小化減少Qgd,減少米勒電荷耦合,以最大限度地減少假啟動(dòng)總的來(lái)說(shuō),改進(jìn)了FOM(優(yōu)點(diǎn)系數(shù)=Ron*Qg),降低了開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗


產(chǎn)品推廣二: 充電樁用TO-247 大功率高效超快恢復(fù)二極管



規(guī)格

MCC型號(hào)

市場(chǎng)需求量

需求量

600V/30A
(TO-247)

MUR3060B

2015年到2020年需要新增集中式充換電站超過(guò)1.2萬(wàn)座,分散式充電樁超過(guò)480萬(wàn)個(gè),以滿(mǎn)足到時(shí)全國(guó)500萬(wàn)輛電動(dòng)汽車(chē)充電需求。
1.目前主流10KW~20KW交流樁,AC230V需要用600V 產(chǎn)品,AC 380V需要用1200V產(chǎn)品
2.60KW往上主要為直流樁,用于大型公共汽車(chē)以及汽車(chē)外部充電使用,DC在200V~750V之間,對(duì)應(yīng)選擇600V和1200V的產(chǎn)品
3.截至2018年6月,統(tǒng)計(jì)有充電樁271751個(gè),其中交流充電樁119445個(gè)、直流充電樁87956個(gè)、交直流一體充電樁64350個(gè)。2018年6月較2018年5月新增公共類(lèi)充電樁5520個(gè)。從2017年7月到2018年6月,月均新增公共類(lèi)充電樁約8345個(gè),2018年6月同比增長(zhǎng)58.4%。

電動(dòng)汽車(chē)樁比3.8:1,按照500萬(wàn)臺(tái)計(jì)算,共需求,131萬(wàn)臺(tái)。目前已經(jīng)建成60萬(wàn)臺(tái),還有71萬(wàn)臺(tái)需求,按照每個(gè)里面8pcs,共需求568萬(wàn)(5.68KK產(chǎn)品),轉(zhuǎn)換成月300K/月

600V/60A
(TO-247)

MUR6060B

1200V/30A
(TO-247)

MUR30120B

1200V/60A
(TO-247)

MUR60120B



  


產(chǎn)品推廣三: SIC肖特基二極管


SiC是由硅(SI)和碳(C)組成的復(fù)合半導(dǎo)體材料。它的結(jié)合力很強(qiáng),在熱、化學(xué)和機(jī)械方面都非常穩(wěn)定。作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,碳化硅也是晶體生產(chǎn)技術(shù)和器件制造水平上最成熟、應(yīng)用最廣泛的寬帶隙半導(dǎo)體材料之一。目前,已經(jīng)形成了一條集材料、器件、應(yīng)用于一體的全球產(chǎn)業(yè)鏈。它是高溫、高頻、抗輻射和大功率應(yīng)用的理想半導(dǎo)體材料。由于碳化硅功率器件可以顯著降低電子設(shè)備的能耗,因此碳化硅器件又被稱(chēng)為推動(dòng)新能源革命的綠色能源器件,使得SiC二極管的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。


特征

?無(wú)反向恢復(fù)電流

?高頻操作

?溫度獨(dú)立開(kāi)關(guān)

?切換速度極快

?卓越的熱性能


MCC第二代SIC SBD優(yōu)勢(shì)

  


第二代優(yōu)勢(shì):

650V/10A,從370um120um的更薄工藝,更高的電流密度

1200V/10A,從370um120um工藝更薄,電流密度更高

C3rd代相比:650V/10A:更高的EAS,HT-IRC*3代相同

C*4代相比:1200V/10AIFSM較高,EAS較低,HT IR較低


  

  

  

  

  

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