負(fù)反饋程度越深，越容易產(chǎn)生自激振蕩。因此為了保證電路穩(wěn)定工作，避免產(chǎn)生自激振蕩，在實(shí)際應(yīng)用中常常需要采取適當(dāng)?shù)拇胧﹣?lái)破壞自激的幅度條件和相位條件。電容校正（或稱(chēng)主極點(diǎn)校正）措施是一種比較簡(jiǎn)單的消除自激振蕩的方法，它通過(guò)在負(fù)反饋放大電路時(shí)間常數(shù)最大的回路中并接一個(gè)補(bǔ)償電容 C 實(shí)現(xiàn)。

  

補(bǔ)償原因
由于三級(jí)或三級(jí)以上的負(fù)反饋放大電路容易產(chǎn)生自激振蕩，因此為了保證電路穩(wěn)定工作，避免產(chǎn)生自激振蕩，在實(shí)際應(yīng)用中常常需要采取適當(dāng)?shù)拇胧﹣?lái)破壞自激的幅度條件和相位條件。

對(duì)負(fù)反饋放大電路，負(fù)反饋深度和電路的穩(wěn)定性之間存在一種矛盾的關(guān)系：負(fù)反饋程度越深，越容易產(chǎn)生自激振蕩。而為了使放大電路工作穩(wěn)定而減小其反饋系數(shù) B 或反饋深度 1+A（s）B（s）的值，這會(huì)對(duì)電路其它性能的改善不利。因此，為了保證電路既有一定的反饋深度又能穩(wěn)定工作，在實(shí)際應(yīng)用中常采用相位補(bǔ)償?shù)姆椒ǎ丛诜糯箅娐坊蚍答伨W(wǎng)絡(luò)中接入由 C 或 RC 元件組成的校正網(wǎng)絡(luò)，使電路的頻率特性發(fā)生變化，以破壞自激振蕩條件。

電容校正定義
電容校正（或稱(chēng)主極點(diǎn)校正）措施是一種比較簡(jiǎn)單的消除自激振蕩的方法，它通過(guò)在負(fù)反饋放大電路時(shí)間常數(shù)最大的回路中并接一個(gè)補(bǔ)償電容 C 實(shí)現(xiàn)。如圖電容校正方法實(shí)質(zhì)上是將放大電路的主極點(diǎn)頻率降低，從而破壞自激振蕩的條件，所以也稱(chēng)為主極點(diǎn)校正。

電容校正電路的等效電路，接入的補(bǔ)償電容 C 相當(dāng)于并聯(lián)在兩級(jí)放大電路之間，在中低頻時(shí)，由于容抗較大，補(bǔ)償電容 C 基本不起作用；而在高頻時(shí)，C 的容抗減小，使前一級(jí)的放大倍數(shù)降低，從而破壞自激振蕩的振幅條件，使電路穩(wěn)定工作。

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