什么是磁敏電阻
磁敏電阻是一種對(duì)磁敏感、具有磁阻效應(yīng)的電阻元件。物質(zhì)在磁場(chǎng)中電阻發(fā)生變化的現(xiàn)象稱(chēng)為磁阻效應(yīng)。磁敏電阻通常用銻化銦（InSb）或砷化銦（InAs）等對(duì)磁具有敏感性的半導(dǎo)體材料制成。半導(dǎo)體材料的磁阻效應(yīng)包括物理磁阻效應(yīng)和幾何磁阻效應(yīng)，其中物理磁阻效應(yīng)又稱(chēng)為磁電阻率效應(yīng)。
 
當(dāng)外加磁場(chǎng)的方向或強(qiáng)度發(fā)生變化時(shí)，磁敏電阻的阻值相應(yīng)改變［2］，利用該變化，可精確地測(cè)試出磁場(chǎng)的相對(duì)位移。例如，在一個(gè)長(zhǎng)方形半導(dǎo)體InSb片中，沿長(zhǎng)度方向有電流通過(guò)時(shí)，若在垂直于電流片的寬度方向上施加一個(gè)磁場(chǎng)，半導(dǎo)體InSb片長(zhǎng)度方向上就會(huì)發(fā)生電阻率增大的現(xiàn)象。
 
磁敏電阻器的特點(diǎn)
1、磁阻效應(yīng)原理；
2、磁檢測(cè)靈敏度高；
3、輸出信號(hào)幅值大；
4、抗電磁干擾能力強(qiáng)；
5、分辨力高。
 
 
磁敏電阻器的主要參數(shù)
1）磁阻比：指在某一規(guī)定的磁感應(yīng)強(qiáng)度下，磁敏電阻器的阻值與零磁感應(yīng)強(qiáng)度下的阻值之比。
 
2）磁阻系數(shù)：指在某一規(guī)定的磁感應(yīng)強(qiáng)度下，磁敏電阻器的阻值與其標(biāo)稱(chēng)阻值之比。
 
3）磁阻靈敏度：指在某一規(guī)定的磁感應(yīng)強(qiáng)度下，磁敏電阻器的電阻值隨磁感應(yīng)強(qiáng)度的相對(duì)變化率。
 
磁敏電阻工作原理
磁敏材料
磁敏材料能通過(guò)磁阻效應(yīng)將磁信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。磁阻效應(yīng)包括材料的電阻率隨磁場(chǎng)而變化和元件電阻值隨磁場(chǎng)而變化兩種現(xiàn)象。前者稱(chēng)磁電阻率效應(yīng)或物理磁阻效應(yīng)，后者稱(chēng)為磁電阻效應(yīng)或幾何磁阻效應(yīng)。
 
磁敏電阻材料主要是電子遷移率大的半導(dǎo)體材料，還有鐵鎳鈷合金。常用的半導(dǎo)體有InSb（或InSb-NiSb共晶材料）、砷化銦（InAs）和砷化鎵（GaAs）等材料，一般用N型。
 
高純度InSb和InAs的電子遷移率分別為5.6～6.5m/（V·s）和2.0～2.5m/（V·s）。InSb的禁帶寬度小，受溫度影響大。GaAs的禁帶寬度大，電子遷移率也相當(dāng)大［0.8m/（V·s）］，受溫度影響小，且靈敏度也高。
 
鎳鈷合金和鎳鐵合金的電阻溫度系數(shù)小，性能穩(wěn)定，靈敏度高，且具有方向性，可制作強(qiáng)磁性磁阻器件，用于磁阻的檢測(cè)等方面。
 
用半導(dǎo)體材料制作的磁敏電阻器、無(wú)觸點(diǎn)電位器、模擬運(yùn)算器和磁傳感器等應(yīng)用于測(cè)量、計(jì)算機(jī)、無(wú)線電和自動(dòng)控制等方面。半導(dǎo)體InSb-NiSb磁敏電阻器用于磁場(chǎng)、電流、位移和功率測(cè)量及模擬運(yùn)算器等方面，其阻值為10Ω～1kΩ，相對(duì)靈敏度6～18（B=1T），溫度系數(shù)-2.9%～0.09%（1/℃）（B=1T），極限工作頻率1～10MHz。在測(cè)量小于0.01T的弱磁場(chǎng)時(shí)，必須附加以偏置磁場(chǎng)才能進(jìn)行。
 

Ni-Co薄膜磁敏電阻器主要用于探測(cè)磁場(chǎng)方向、磁帶位置檢測(cè)、測(cè)量和控制轉(zhuǎn)速或速度以及無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)等方面。阻值有1、10、250kΩ，相對(duì)靈敏度2%以上（3&TImes;10T下），溫度系數(shù)3000±500&TImes;10（1/℃），感應(yīng)磁場(chǎng)3&TImes;10T以上，工作溫度-55～150℃。在檢測(cè)磁場(chǎng)反轉(zhuǎn)或可逆磁場(chǎng)以下的磁信號(hào)時(shí)，也應(yīng)采用偏置磁場(chǎng)。

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