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亞成微丨推出大功率快充主控芯片RM1342S

2021-05-13 16:27:39閱讀量:2019

近年來,隨著經(jīng)濟(jì)的發(fā)展以及人們生活節(jié)奏的不斷加快,更快的充電速度、更小體積的充電器逐漸成為人們的一種新需求,這同時也引發(fā)了快充廠商對大功率高功率密度快充方案的追求。雖然在氮化鎵器件的加持下,快速充電器體積和功率的極限不斷取得新的突破,但快充方案的主控芯片更多還是采用進(jìn)口,面對日益增長的市場需求以及嚴(yán)峻的國際形勢,實現(xiàn)國產(chǎn)替代刻不容緩。


作為國內(nèi)電源管理芯片的先行者,亞成微電子擁有多年的技術(shù)積累,為滿足市場需求,在近日推出一款應(yīng)用于大功率快充的高性能高可靠性電流控制型 PWM 開關(guān)控制芯片RM1342S,芯片滿足六級能效標(biāo)準(zhǔn),并且支持 CCM/QR 混合模式,僅需外圍做簡單修改,即可pin對pin替換進(jìn)口產(chǎn)品,且方案部分性能表現(xiàn)更為優(yōu)異,并具有較大的成本及供貨優(yōu)勢,實現(xiàn)了目前主流大功率快充方案主控芯片的國產(chǎn)替代。


  


RM1342S 集成多種工作模式,在重載情況下, 系統(tǒng)工作在傳統(tǒng)的固頻 130Khz 的 PWM 模式下,在 低壓輸入時會進(jìn)入 CCM 模式;在重載情況下,系統(tǒng)工作在 QR 模式,以降低開關(guān)損耗,同時結(jié)合 PFM 工作模式提高系統(tǒng)效率;RM1342S 采用專有的分段驅(qū)動技術(shù),易于搭配超結(jié) MOSFET(CoolMOS)改善 EMI 設(shè)計;在輕載或空載情況下,系統(tǒng)工作在 Burst Mode 模式,有效去除音頻噪音,同時在該模式下,RM1342S 本身損耗極低,因此可以做到超低待機(jī)功耗。在任何模式下,都集成了特有抖頻工作模式,以改善 EMI。


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RM1342S 同時集成了多種保護(hù)模式和補(bǔ)償電路,包括 VCC OVP,內(nèi)置 OTP,外置 OVP,欠壓鎖定(uvlo),逐周期過流保護(hù) OCP,過載保護(hù)(OLP),CS 短路保護(hù),輸出肖特基短路保護(hù)等,并內(nèi)置斜坡補(bǔ)償功能。

亞成微RM1342S與進(jìn)口芯片實測對比:


1.整機(jī)規(guī)格: 
輸入:90Vac/60Hz -264Vac/50Hz 
主輸出:60W PD 快充


正面


背面


2.能效&待機(jī)功耗對比:

  


3.紋波對比:
   

4.工作頻率
  

5.功率器件應(yīng)力測試

  

標(biāo)簽圖標(biāo)
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