導(dǎo)讀：近日，意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱ST）宣布，ST瑞典北雪平工廠制造出首批200mm (8英寸)碳化硅(SiC)晶圓片，這些晶圓將用于生產(chǎn)下一代電力電子芯片的產(chǎn)品原型。

  

ST稱，SiC晶圓升級(jí)到200mm標(biāo)志著ST面向汽車和工業(yè)客戶的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃取得重要的階段性成功，鞏固了ST在這一開(kāi)創(chuàng)性技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，提高了電力電子芯片的輕量化和能效，降低客戶獲取這些產(chǎn)品的總擁有成本。

碳化硅是一種化合物半導(dǎo)體材料，與硅材料相比，本征特性可提供更高的性能、能效，適合電動(dòng)汽車、工業(yè)制造過(guò)程等重要的高增長(zhǎng)電力應(yīng)用領(lǐng)域。

  

圖：ST的6英寸SiC晶圓

據(jù)悉，意法半導(dǎo)體在碳化硅晶圓的研發(fā)上已經(jīng)投入了25年之久，擁有70多項(xiàng)專利，2019年還收購(gòu)了Norstel，并改名為意法半導(dǎo)體碳化硅公司，獲得了碳化硅硅錠生長(zhǎng)技術(shù)開(kāi)發(fā)方面的深厚積累和沉淀。

ST還表示，首批200mm SiC晶圓片質(zhì)量上乘，影響芯片良率和晶體位錯(cuò)的缺陷非常少。新的碳化硅晶圓在意大利、新加坡的兩家150mm晶圓廠完成前工序制造，而后工序制造則在中國(guó)深圳、摩洛哥的兩家封測(cè)廠進(jìn)行。

  

圖：ST的全球據(jù)點(diǎn)

對(duì)比150mm晶圓，200mm晶圓可增加大幅產(chǎn)能，可用面積幾乎增加一倍，合格芯片產(chǎn)量則增加80-90％。新晶圓可以實(shí)現(xiàn)更高效的電能轉(zhuǎn)換，更小、更輕量化的設(shè)計(jì)，節(jié)省系統(tǒng)設(shè)計(jì)總體成本，而這些都是決定汽車和工業(yè)系統(tǒng)成功的關(guān)鍵參數(shù)和因素。

意法半導(dǎo)體汽車和分立器件產(chǎn)品部總裁Marco Monti表示：汽車和工業(yè)市場(chǎng)正在加快推進(jìn)系統(tǒng)和產(chǎn)品電氣化進(jìn)程，SiC晶圓升級(jí)到200mm將會(huì)給ST的汽車和工業(yè)客戶帶來(lái)巨大好處。

同時(shí)他表示，隨著產(chǎn)量擴(kuò)大，提升規(guī)模經(jīng)濟(jì)效益是很重要的。在覆蓋整個(gè)制造鏈的內(nèi)部SiC生態(tài)系統(tǒng)方面積累深厚的專業(yè)知識(shí)，可以提高制造靈活性，更有效地控制晶圓片的良率和質(zhì)量改進(jìn)。