第一期：松下MOSFET驅(qū)動(dòng)器——可實(shí)現(xiàn)高輸出電壓和高速操作！
在上一篇文章中我們概述了“MOSFET驅(qū)動(dòng)器”。作為產(chǎn)業(yè)設(shè)備、信息基礎(chǔ)設(shè)施、蓄電系統(tǒng)、汽車等用途中主流的Si-MOSFET和SiC-MOSFET，為了適應(yīng)行業(yè)需求，松下推出“高輸出電壓”和“高速操作”MOSFET驅(qū)動(dòng)器。
在本文中，我們將介紹實(shí)現(xiàn)“高輸出電壓”解決方案。話不多說(shuō)，接下來(lái)小編帶您一探究竟！
<案例介紹>
希望通過(guò)在柵源之間施加高電壓 (Vgs) 來(lái)降低MOSFET的導(dǎo)通電阻
客戶需求：在MOSFET的門·源之間想施加大電壓
解決方案：松下的新MOSFET驅(qū)動(dòng)器可實(shí)現(xiàn)!
Vgs=Typ.18 V可輸入，可以充分降低SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻!
松下的新MOSFET驅(qū)動(dòng)器，只需一顆就可以充分降低SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻!在使用SiC等希望施加高門電壓的MOSFET時(shí)，松下的MOSFET驅(qū)動(dòng)器高輸出電壓類型可放心使用。
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