導(dǎo)讀：據(jù)日媒Tech+報(bào)道，HW（以下均簡(jiǎn)稱菊廠）將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開發(fā)的3D DRAM技術(shù)，進(jìn)行各種有關(guān)內(nèi)存的演示。

  

圖：相關(guān)技術(shù)圖像

據(jù)Tech+透露，菊廠這次發(fā)布的3D DRAM技術(shù)，是基于銦鎵鋅氧IGZO-FET材料的CAA構(gòu)型晶體管3D DRAM技術(shù)，具有出色的溫度穩(wěn)定性和可靠性。

氧化物IGZO由東京工業(yè)大學(xué)的細(xì)野教授于2004年發(fā)現(xiàn)并發(fā)表在《自然》雜志上。對(duì)于該論文，日本媒體評(píng)價(jià)道：“令人驚訝的是，受到美國(guó)政府半導(dǎo)體技術(shù)禁運(yùn)的中國(guó)人從事如此尖端的半導(dǎo)體研究，并在國(guó)際會(huì)議上以30%的接受率被采用。”

該成果被選作該會(huì)議程序委員會(huì)選出的推薦論文之一，除菊廠之外，IBM、三星、英特爾、Meta、斯坦福大學(xué)、喬治亞理工學(xué)院等都將展示存儲(chǔ)領(lǐng)域的新突破。

  

圖：菊廠官網(wǎng)

實(shí)際上，早在去年的IEDM 2021上，中科院微電子所團(tuán)隊(duì)聯(lián)合海思，就曾提出新型垂直環(huán)形溝道器件結(jié)構(gòu)（CAA）。該結(jié)構(gòu)減小了器件面積，支持多層堆疊。其通過將上下兩個(gè)CAA器件直接相連，每個(gè)存儲(chǔ)單元的尺寸可減小至4F2。

而在菊廠官網(wǎng)上，公開對(duì)外征集挑戰(zhàn)的奧林帕斯難題中，就包括下一代新型存儲(chǔ)介質(zhì)技術(shù)，本次成果展示的3D DRAM正在其中，可見菊廠對(duì)存儲(chǔ)器基礎(chǔ)理論的研究早有淵源。

  

圖：麒麟公眾號(hào)

而就在5月19日，麒麟公眾號(hào)在一篇關(guān)于存儲(chǔ)器的科普文章中寫到，隨著芯片尺寸的微縮，DRAM工藝微縮將越來越困難，“摩爾定律”走向極限，因此各大廠商在研究3D DRAM作為解決方案來延續(xù)DRAM的使用。

隨著DRAM市場(chǎng)歷經(jīng)多年起伏，現(xiàn)今全球主要供應(yīng)商僅剩3家，包括三星、SK海力士與美光，占據(jù)去年整體DRAM市場(chǎng)產(chǎn)值高達(dá)94%，為寡占市場(chǎng)，三星與海力士更高達(dá)71.3%。

而當(dāng)前量產(chǎn)的DARM技術(shù)中，國(guó)內(nèi)最大制造商工藝大約落后三星、SK海力士五年以上，市占更不足1%。因此，下一代存儲(chǔ)技術(shù)的預(yù)研和產(chǎn)業(yè)化成為關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。