ST:將興建歐洲首座6吋SiC外延襯底廠
2022-10-09 16:58:05閱讀量:535來(lái)源:意法半導(dǎo)體
導(dǎo)讀:10月8日,意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST)宣布將于意大利興建一座整合式碳化硅(SiC)襯底制造廠,以支持汽車及工業(yè)領(lǐng)域的需求。
圖:ST意大利廠區(qū)
意法半導(dǎo)體稱,新廠預(yù)計(jì)2023年開始投產(chǎn),以實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底的供應(yīng)在對(duì)內(nèi)采購(gòu)及行業(yè)供貨間達(dá)到平衡。
這座新碳化硅襯底廠比鄰意法半導(dǎo)體位于意大利卡塔尼亞(Catania)現(xiàn)有的碳化硅制造廠,未來(lái)將成為歐洲首座6吋碳化硅外延襯底的量產(chǎn)基地,整合生產(chǎn)流程中所有工序。
同時(shí),意法半導(dǎo)體表示也致力于下一步在此開發(fā)8吋碳化硅晶圓。
意法半導(dǎo)體總裁表示:“這座新廠將成為我們碳化硅垂直整合的關(guān)鍵,強(qiáng)化我們的碳化硅襯底供應(yīng),協(xié)助我們提升產(chǎn)能,以支持汽車及工業(yè)客戶邁向電氣化并追求更高效率?!?/span>
意法半導(dǎo)體先進(jìn)的量產(chǎn)碳化硅產(chǎn)品STPOWER SiC,目前由位于意大利卡塔尼亞及新加坡宏茂橋的晶圓廠生產(chǎn),后端制造則在中國(guó)深圳及摩洛哥的布斯庫(kù)拉(Bouskoura)完成。通過(guò)新碳化硅襯底廠,意法半導(dǎo)體希望于2024年之前實(shí)現(xiàn)40%襯底來(lái)自內(nèi)部采購(gòu)的目標(biāo)。

L7805CV-DG/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.5401 | |
AMS1117-3.3/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.1237 | |
BAT54C,215/肖特基二極管 | 0.0335 | |
LM358DR2G/運(yùn)算放大器 | 0.345 | |
CJ431/電壓基準(zhǔn)芯片 | 0.1147 | |
LM393DR2G/比較器 | 0.3153 | |
ADUM4160BRWZ-RL/隔離式USB芯片 | 31.6 | |
REF3012AIDBZR/電壓基準(zhǔn)芯片 | 0.9357 | |
SS8050/三極管(BJT) | 0.035 | |
8S005/錫膏/錫漿 | 17.67 |
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