俄科學(xué)院:2028年量產(chǎn)7nm光刻設(shè)備
2022-10-26 11:13:45閱讀量:666來源:Tomshardware
導(dǎo)讀:據(jù)外媒Tomshardware報(bào)道,俄羅斯一家研究單位正在研究開發(fā)可被用于7納米制程芯片生產(chǎn)的光刻掃描儀,不過該工具將與ASML或Nikon等公司生產(chǎn)的光刻掃描儀有所不同。
圖源:Tomshardware
報(bào)道稱,俄羅斯科學(xué)院下屬的俄羅斯應(yīng)用物理研究所樂觀預(yù)期,俄羅斯到2028年能夠成功研發(fā)且量產(chǎn)出具有7納米制造能力的微影光刻設(shè)備,并預(yù)期設(shè)備研發(fā)生完成后可能會比ASML的Twinscan NXT:2000i效能更高。
消息一出有眾多人都不相信,畢竟ASML開發(fā)Twinscan NXT:2000i就花費(fèi)了超過10年時(shí)間,而俄羅斯應(yīng)用物理研究所在芯片生產(chǎn)沒有任何經(jīng)驗(yàn)或與芯片制造商沒有任何聯(lián)系,用六年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)難度堪比登天。
據(jù)報(bào)道稱,原因在于俄羅斯研發(fā)的微影光刻設(shè)備將與ASML、Nikon等公司生產(chǎn)的光刻掃描儀有所不同。例如俄羅斯應(yīng)用物理研究所計(jì)劃使用大于600W的光源、曝光波長為 11.3nm(EUV 波長為13.5nm)。由于該設(shè)備的光源功率相對較低,這將使工具更緊湊,更易于構(gòu)建。然而這也意味著其掃描儀的產(chǎn)量將大大低于現(xiàn)代深紫外 (DUV) 工具的產(chǎn)量。
根據(jù)俄羅斯應(yīng)用物理研究所的研發(fā)計(jì)劃,將于2024年之前建造一個(gè)功能齊全的首代微影光刻設(shè)備,使其能運(yùn)作和對潛在投資者有吸引力。緊接計(jì)劃于2026年之前制造出具有更高生產(chǎn)力和解析度的微影光刻設(shè)備的測試版設(shè)備,可以實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)晶圓;微影光刻設(shè)備終極版本將于2028年問世,其不但要能獲得高性能光源,并且具有更好的計(jì)算量測和整體能力。?

L7805CV-DG/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.5401 | |
AMS1117-3.3/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.1237 | |
BAT54C,215/肖特基二極管 | 0.0334 | |
LM358DR2G/運(yùn)算放大器 | 0.345 | |
CJ431/電壓基準(zhǔn)芯片 | 0.1147 | |
LM393DR2G/比較器 | 0.3153 | |
ADUM4160BRWZ-RL/隔離式USB芯片 | 31.6 | |
REF3012AIDBZR/電壓基準(zhǔn)芯片 | 0.9357 | |
SS8050/三極管(BJT) | 0.035 | |
8S005/錫膏/錫漿 | 17.67 |
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