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安森美推出采用創(chuàng)新Top Cool封裝的MOSFET

2022-11-17 15:55:12閱讀量：863

2022年11月17日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，宣布推出新系列MOSFET器件，采用創(chuàng)新的頂部冷卻，幫助設(shè)計(jì)人員解決具挑戰(zhàn)的汽車(chē)應(yīng)用，特別是電機(jī)控制和DC-DC轉(zhuǎn)換。



  

新的Top Cool器件采用TCPAK57封裝，尺寸僅5mm x 7mm，在頂部有一個(gè)16.5 mm2的熱焊盤(pán)，可以將熱量直接散發(fā)到散熱器上，而不是通過(guò)傳統(tǒng)的印刷電路板（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“PCB”）散熱。采用TCPAK57封裝能充分使用PCB的兩面，減少PCB發(fā)熱，從而提高功率密度。新設(shè)計(jì)的可靠性更高從而增加整個(gè)系統(tǒng)的使用壽命。




  



安森美副總裁兼汽車(chē)電源方案總經(jīng)理Fabio Necco說(shuō)：“冷卻是高功率設(shè)計(jì)的最大挑戰(zhàn)之一，成功解決這個(gè)問(wèn)題對(duì)于減小尺寸和重量至關(guān)重要，這在現(xiàn)代汽車(chē)設(shè)計(jì)中也是關(guān)鍵的考慮因素。我們的新型Top Cool MOSFET不僅表現(xiàn)出卓越的電氣效率，而且消除了PCB中的熱路徑，從而顯著簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，減小尺寸并降低成本?！?/span>

這些器件提供高功率應(yīng)用所需的電氣效率，RDS(ON)值低至1mΩ。而且柵極電荷(Qg) 低 (65 nC)，從而降低高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的損耗。

安森美利用其在封裝方面的深厚專(zhuān)知，提供業(yè)內(nèi)最高功率密度方案。首發(fā)的TCPAK57產(chǎn)品組合包括40V、60V和80V。這所有器件都能在175°C的結(jié)溫(Tj)下工作，并符合AEC-Q101車(chē)規(guī)認(rèn)證和生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序(PPAP)。再加上其鷗翼式封裝，支持焊點(diǎn)檢查和實(shí)現(xiàn)卓越的板級(jí)可靠性，非常適合于要求嚴(yán)苛的汽車(chē)應(yīng)用。目標(biāo)應(yīng)用是高/中功率電機(jī)控制，如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向和油泵。


安森美現(xiàn)在提供這些新器件的樣品，計(jì)劃于2023年1月開(kāi)始全面量產(chǎn)。請(qǐng)聯(lián)系安森美的銷(xiāo)售辦事處,請(qǐng)?jiān)L問(wèn)我們的網(wǎng)站以了解 Top Cool 封裝單 N 溝道功率 MOSFET 的更多信息。




關(guān)于安森美（onsemi）
安森美（onsemi, 納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON）正推動(dòng)顛覆性創(chuàng)新，幫助建設(shè)更美好的未來(lái)。公司專(zhuān)注于汽車(chē)和工業(yè)終端市場(chǎng)，正加速推動(dòng)大趨勢(shì)的變革，包括汽車(chē)功能電子化和安全、可持續(xù)電網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化以及5G和云基礎(chǔ)設(shè)施等。安森美提供高度差異化的創(chuàng)新產(chǎn)品組合以及智能電源和智能感知技術(shù)，以解決全球最復(fù)雜的挑戰(zhàn)，引領(lǐng)創(chuàng)造更安全、更清潔、更智能的世界。安森美位列《財(cái)富》美國(guó)500強(qiáng)，也被納入標(biāo)普500指數(shù)。