CS創(chuàng)世SD NAND SDHC和SDSC的區(qū)別
2022-12-30 16:46:38閱讀量:1208
最近我們有客戶朋友在使用CS創(chuàng)世 SD NAND的時候遇到了這樣的問題,在使用我們SD NAND的時候,同樣的測試環(huán)境下,4GB的用的沒有任何問題,用512MB和128MB的用的時候會出現(xiàn)用不了的情況,這種情況是因為4GB屬于SDHC,512MB和128MB屬于小于2GB的SDSC,本文來簡單闡述下兩者的區(qū)別。
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CS創(chuàng)世 SD NAND經(jīng)過實測是完全遵守SD 2.0協(xié)議的,SD2.0協(xié)議中規(guī)定,小于等于2GB的卡為SDSC,大于2GB的為SDHC在數(shù)據(jù)傳輸?shù)倪^程中,如果主機使用部分塊的累計長度不能對齊,而又不允許不對齊,卡應(yīng)該在第一個不對齊的塊開始的時候就檢測到這個問題。
如下圖所示,在CSD寄存器中寫和讀塊不對齊那里數(shù)字都為0,表示不允許不對齊,即如果寫塊或者讀塊不對齊的話就會報錯,導(dǎo)致數(shù)據(jù)無法傳輸。
如果是SDSC,數(shù)據(jù)塊的長度是 CMD16 中定義的 BLOCK_LEN。如果是SDHC,數(shù)據(jù)塊的大小固定為 512Byte。所以SDSC的adress必須要設(shè)置成0x200的整數(shù)倍,如下圖所示:
命令參數(shù)
局部訪問和位移訪問
設(shè)置塊長度
寫保護組
b) 而SDSC可以。
讀
讀訪問時間是 CSD 的參數(shù) TAAC(數(shù)據(jù)訪問時間) 和 NSAC(時鐘周期NSAC*100中的數(shù)據(jù)讀訪問時間) 的和如果是單獨的讀操作,這些卡的參數(shù) 定義了讀命令的結(jié)束位和數(shù)據(jù)塊的起始位之間的延時。如果是多塊的讀操作,他們也定義了塊與塊之間的標(biāo)準(zhǔn)延遲。
b)對于SDHC來說,TAAC(數(shù)據(jù)訪問時間) 和 NSAC(時鐘周期NSAC*100中的數(shù)據(jù)讀訪問時間) 是寫死的值。主機應(yīng)該使用 100ms(最小)作為超時時間而不是使用 TAAC 和 NSAC 的和。
寫
a)對于SDSC來說,超時時間應(yīng)該是 100 倍的標(biāo)準(zhǔn)操作時間,或者是 250ms(取較小的)。
CSD 中的 R2W_FACTOR 區(qū)域用來指示標(biāo)準(zhǔn)的操作時間,這個值乘以讀訪問時間就是寫訪問時間。所有的寫操作都是這個時間(SET(CLR)_WRITE_PROTECT,PROGRAM_CSD,以及塊讀命令)b)對于SDHC來說,R2W_FACTOR 也是一個寫死的值。所有寫操作 Busy 的最大值是 250ms。主機應(yīng)該使用 250ms 作為單塊或多塊寫操作的超時時間,而不使用 R2W_FACTOR。
因此同樣是滿足SD協(xié)議,不同容量的產(chǎn)品還是有一些差別的。因此客戶朋友在選擇產(chǎn)品的時候,可以提前咨詢我們,節(jié)省產(chǎn)品的開發(fā)時間。
CS創(chuàng)世 SD NAND目前在航空航天、鐵路交通、電力水力等一系列的市場中都得到了廣泛的應(yīng)用,歡迎各位朋友前來了解咨詢。

L7805CV-DG/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.5401 | |
AMS1117-3.3/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.1237 | |
BAT54C,215/肖特基二極管 | 0.0335 | |
LM358DR2G/運算放大器 | 0.345 | |
CJ431/電壓基準(zhǔn)芯片 | 0.1147 | |
LM393DR2G/比較器 | 0.3153 | |
ADUM4160BRWZ-RL/隔離式USB芯片 | 31.6 | |
REF3012AIDBZR/電壓基準(zhǔn)芯片 | 0.9357 | |
SS8050/三極管(BJT) | 0.035 | |
8S005/錫膏/錫漿 | 17.67 |
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