750V 4A半橋式功率MOSFET/IGBT單相驅(qū)動(dòng)芯片
2023-07-18 11:01:54閱讀量:1258
產(chǎn)品概述
IRS2113S是一款高壓、高速功率MOSFET高低側(cè)驅(qū)動(dòng)芯片,采用高低壓兼容工藝使得高、低側(cè)柵驅(qū)動(dòng)電路可以單芯片集成。具有獨(dú)立的高、低側(cè)傳輸通道 。
IRS2113S的邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或 LSTTL邏輯輸出電平,輸出具有大電流脈沖能力,其浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)N溝道功率MOSFET,浮地通道最高工作電壓可達(dá)750V。
IRS2113S內(nèi)部集成高低側(cè)shutdown邏輯,可用于故障條件下的通斷關(guān)斷。
IRS2113S采用寬體SOP-16-300mil封裝,可以在-40℃至125℃溫度范圍內(nèi)工作。
主要特征
自舉工作的浮動(dòng)通道
最高工作電壓可達(dá) 750 V
兼容 3.3V、5V 和 15V 輸入邏輯
dVS/dt 耐受能力可達(dá)±50 V/nsec
VS 負(fù)偏壓能力達(dá)-9V
柵極驅(qū)動(dòng)電范圍 10 V-20V
寬溫度范圍-40~125°C
集成欠壓鎖定功能
周期性邊緣觸發(fā)關(guān)斷邏輯
輸入輸出同相位
邏輯和電源地±5V 偏移
芯片開(kāi)通關(guān)斷延時(shí)特性
-- Ton/Toff =130ns/130ns
-- 高低側(cè)延時(shí)匹配
驅(qū)動(dòng)電流能力:
拉電流/灌電流=4.0A/4.0A
高、低側(cè)欠壓鎖定電路
欠壓鎖定正向閾值 8.9V
欠壓鎖定負(fù)向閾值 8.2V
符合 RoSH 標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用場(chǎng)景
通用逆變器
交流和直流電源中的半橋和全橋轉(zhuǎn)換器
用于服務(wù)器、電信、IT 和工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施的高密度
開(kāi)關(guān)電源
太陽(yáng)能逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和 UPS
封裝形式
應(yīng)用案例
IRS2113STRPBF-JSM可以適用多種應(yīng)用場(chǎng)景。覆蓋通用逆變器,交流和直流電源中的半橋和全橋轉(zhuǎn)換器;也可以用于服務(wù)器、電信、IT和工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施的高密度開(kāi)關(guān)電源;太陽(yáng)能逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和UPS等。
上圖是IRS2113STRPBF-JSM用于逆變器的一種應(yīng)用方案
上圖是IRS2113STRPBF-JSM用于逆變器的一種應(yīng)用方案
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