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750V 4A半橋式功率MOSFET/IGBT單相驅(qū)動(dòng)芯片

2023-07-18 11:01:54閱讀量:1258

產(chǎn)品概述

IRS2113S是一款高壓、高速功率MOSFET高低側(cè)驅(qū)動(dòng)芯片,采用高低壓兼容工藝使得高、低側(cè)柵驅(qū)動(dòng)電路可以單芯片集成。具有獨(dú)立的高、低側(cè)傳輸通道 。

IRS2113S的邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或 LSTTL邏輯輸出電平,輸出具有大電流脈沖能力,其浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)N溝道功率MOSFET,浮地通道最高工作電壓可達(dá)750V。

IRS2113S內(nèi)部集成高低側(cè)shutdown邏輯,可用于故障條件下的通斷關(guān)斷。

IRS2113S采用寬體SOP-16-300mil封裝,可以在-40℃至125℃溫度范圍內(nèi)工作。

 

主要特征


自舉工作的浮動(dòng)通道

最高工作電壓可達(dá) 750 V

兼容 3.3V、5V 和 15V 輸入邏輯

dVS/dt 耐受能力可達(dá)±50 V/nsec

VS 負(fù)偏壓能力達(dá)-9V

柵極驅(qū)動(dòng)電范圍 10 V-20V

寬溫度范圍-40~125°C

集成欠壓鎖定功能

周期性邊緣觸發(fā)關(guān)斷邏輯

輸入輸出同相位

邏輯和電源地±5V 偏移

芯片開(kāi)通關(guān)斷延時(shí)特性

-- Ton/Toff =130ns/130ns

-- 高低側(cè)延時(shí)匹配

驅(qū)動(dòng)電流能力:

拉電流/灌電流=4.0A/4.0A

高、低側(cè)欠壓鎖定電路

欠壓鎖定正向閾值 8.9V

欠壓鎖定負(fù)向閾值 8.2V

符合 RoSH 標(biāo)準(zhǔn)

 

應(yīng)用場(chǎng)景


通用逆變器

交流和直流電源中的半橋和全橋轉(zhuǎn)換器

用于服務(wù)器、電信、IT 和工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施的高密度

開(kāi)關(guān)電源

太陽(yáng)能逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和 UPS

 

封裝形式

   

應(yīng)用案例

IRS2113STRPBF-JSM可以適用多種應(yīng)用場(chǎng)景。覆蓋通用逆變器,交流和直流電源中的半橋和全橋轉(zhuǎn)換器;也可以用于服務(wù)器、電信、IT和工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施的高密度開(kāi)關(guān)電源;太陽(yáng)能逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和UPS等。

                                                                                            

   

上圖是IRS2113STRPBF-JSM用于逆變器的一種應(yīng)用方案

 

  

上圖是IRS2113STRPBF-JSM用于逆變器的一種應(yīng)用方案

 

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