導讀：半導體制造商Nexperia（安世半導體）近日宣布，計劃投資2億美元（約合1.84億歐元）研發(fā)下一代寬禁帶半導體產(chǎn)品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，并在漢堡工廠建立生產(chǎn)基礎設施。同時，晶圓廠的硅(Si)二極管和晶體管產(chǎn)能將會增加。此項投資是在該工廠成立100周年之際，與漢堡經(jīng)濟部長Melanie Leonhard博士共同宣布的。

 

 

為了滿足對高效功率半導體日益增長的長期需求，Nexperia將從2024年6月開始在德國研發(fā)和生產(chǎn)SiC、GaN和Si三種技術。這一舉措充分展現(xiàn)了Nexperia對電氣化和數(shù)字化領域關鍵技術的有力支持。SiC和GaN半導體使數(shù)據(jù)中心等高功率應用能夠以出色的效率運行，同時也是可再生能源應用和電動汽車的核心構件。這些寬禁帶技術具有巨大的潛力，對實現(xiàn)脫碳目標越來越重要。

 

Nexperia德國首席運營官兼常務董事Achim Kempe表示： “這項投資鞏固了我們作為節(jié)能半導體領先供應商的地位，使我們能夠更負責任地利用可用電能。未來，我們的漢堡晶圓廠將覆蓋全系列的寬禁帶半導體，同時仍是最大的小信號二極管和晶體管工廠。我們將繼續(xù)堅定執(zhí)行我們的戰(zhàn)略，為標準應用和高耗能應用生產(chǎn)高質量、具有成本效益的半導體，同時應對我們這一代人面臨的最大挑戰(zhàn)之一：滿足日益增長的能源需求，同時減少對環(huán)境的影響。 第一條高壓D-Mode GaN晶體管和SiC二極管生產(chǎn)線已于2024年6月投入使用。下一個里程碑將是建立現(xiàn)代化、經(jīng)濟高效的200毫米SiC MOSFET和低壓GaN HEMT生產(chǎn)線。這些生產(chǎn)線將在未來兩年內在漢堡工廠完成。同時，該項投資還將幫助進一步實現(xiàn)漢堡工廠現(xiàn)有基礎設施的自動化，并通過逐步轉向使用200毫米晶圓來擴大硅的產(chǎn)能?！?/span>

 

Nexperia德國首席財務官兼常務董事Stefan Tilger表示： “計劃中的投資使我們能夠在漢堡開展寬禁帶芯片的設計和生產(chǎn)。然而，SiC和GaN對于Nexperia來說絕不是新領域。自2019年起，我們的產(chǎn)品組合中就包括GaN FET，而在2023年，我們還與三菱電機合作，擴展了產(chǎn)品范圍，加入了SiC二極管和SiC MOSFET。Nexperia是少數(shù)幾家能夠提供全線半導體技術產(chǎn)品系列的供應商之一，包括Si、SiC和涵蓋了E-mode和D-mode的GaN。這意味著，我們?yōu)榭蛻籼峁┝艘徽臼椒?，能夠滿足他們所有的半導體需求。 此項投資是Nexperia在漢堡洛克施泰特工廠百年歷史中的又一個重要里程碑。自1924年Valvo Radior?hrenfabrik成立以來，該工廠不斷發(fā)展，如今為全球約四分之一的小信號二極管和晶體管需求提供支持。自2017年從NXP分拆以來，Nexperia在漢堡工廠投入了大量資金，員工人數(shù)從950人增加到1,600人左右，并將技術基礎設施升級到了最先進的水平。這些持續(xù)的投入突顯了公司致力于保持行業(yè)領先地位并為全球客戶提供創(chuàng)新解決方案的決心?！?/span>