隨著手機快充、電動汽車、無刷電機和鋰電池的興起，中壓MOSFET的需求越來越大，中壓功率器件開始蓬勃發(fā)展，因其巨大的市場份額，國內外諸多廠商在相關器件廣泛應用于電機驅動系統(tǒng)、逆變器系統(tǒng)及電源管理系統(tǒng)，是核心功率控制部件。

SGT MOSFET作為重要的功率半導體器件，廣泛應用于PD快充、電機驅動（Motor driver）、電池管理系統(tǒng)（BMS）、電動工具等領域。單管SGT MOSFET：VBGL7103具有低導通電阻且低柵極電荷的優(yōu)點，能夠提高功率密度、降低損耗、并具有更好EMI優(yōu)勢。

 

 

1. 低導通電阻，有效降低損耗

 

VBGL7103采用了獨特的SGT（屏蔽柵溝槽）工藝設計，使得開關損耗比普通溝槽小得多。其擁有比普通溝槽深3-5倍的深度，不僅在傳統(tǒng)溝槽MOSFET器件PN結垂直耗盡的基礎上引入了水平耗盡，還能利用更多的外延體積來阻擋電壓。

 

2. 功率、能耗性能突出

由于其溝槽挖掘深度深3-5倍，SGT MOSFET可以橫向使用更多的外延體積來阻止電壓，使得導通電阻大大降低。

 

 

3. 降低開關損耗

SGT技術的低Qg特性結合屏蔽柵結構的應用，使得VBGL7103 MOSFET的米勒電容CGD相較傳統(tǒng)器件降低了數(shù)倍以上，極大地減少了在開關電源應用中的開關損耗，提高了整體效率。此外，其較低的CGD/CGS比值也進一步優(yōu)化了性能表現(xiàn)。

 

4. EMI優(yōu)勢與EAS能力

 
VBGL7103 MOSFET憑借SGT結構較深的溝槽，能夠更有效地利用晶硅體積吸收EAS能量，使其在雪崩過程中表現(xiàn)更為出色，能夠可靠地承受雪崩擊穿和浪涌電流。此外，SGT結構中的CD-shield和Rshield能夠吸收器件關斷時由dv/dt變化引起的尖峰和震蕩，進一步降低了應用中的風險。

 

 

 

參數(shù)特點：

VDS（漏極-源極電壓）: 100V

Vgs（柵極-源極電壓）: 20V

ID（漏極電流）: 180A

 

Rds(on)（導通電阻）:

在10V下: 0.003Ω

在4.5V下: 0.005Ω

 

VBGL7103 MOSFET采用TO-263-7L封裝，這種封裝形式具有以下優(yōu)勢：

 

1. 散熱性能優(yōu)越：有大面積的散熱接觸，能夠更有效地將器件產生的熱量傳導到散熱板或散熱器上，提高散熱效率，確保器件在高負載情況下的穩(wěn)定性能。

 

2. 易于安裝：封裝結構緊湊，引腳排列合理，便于焊接和安裝，同時減少了安裝過程中的誤操作風險，提高了生產效率。

 

3. 良好的電氣特性：考慮了電氣接地和阻抗匹配等因素，能夠提供良好的電氣性能，降低電路中的串擾和干擾，確保信號傳輸穩(wěn)定可靠。

 

4. 機械強度高：采用耐高溫材料制成，具有較高的機械強度和耐環(huán)境性，能夠適應各種嚴苛的工作環(huán)境條件。

 

 

 

應用領域:

電機驅動系統(tǒng)：在電機驅動中，VBGL7103能夠穩(wěn)定高效地控制電流，提供卓越的性能表現(xiàn)。

逆變器系統(tǒng)：作為關鍵開關器件，可在逆變器系統(tǒng)中實現(xiàn)高效的能量轉換。

電源管理系統(tǒng)：在電源管理中，VBGL7103可提供可靠的功率控制，確保系統(tǒng)穩(wěn)定運行。