江西譽鴻錦材料科技有限公司從事第三代化合物半導體材料—氮化鎵（GaN）系列材料的開發(fā)制造和應用。二十余年來專注于GaN材料外延、電子器件、光電器件和器件封裝等的研發(fā)和生產，擁有堅實的理論基礎和豐富的實戰(zhàn)經驗，掌握氮化鎵外延、器件制備和封裝等領域的核心技術，本公司的GaN材料外延和器件的性能達到世界先進水平。

 

 

公司的主要產品有高性能肖特基二極管勢壘（SBD）、高電子遷移率晶體管（HEMT）、射頻/功率放大器（RF PA）、深紫外發(fā)光二極管（UVC-LED）等，這些產品廣泛用于新能源汽車、數據中心、超算中心、5G通訊及殺菌消毒等領域。江西譽鴻錦材料科技有限公司將致力于實現氮化鎵電子器件和高端光電器件領域的“中國智造”！

 

產品介紹

 

主營業(yè)務

電力電子（HEMT、SBD）、發(fā)光二級管（LED）、激光器（LD）、功率放大器（RF PA）、外延片、晶圓等產品

 

產品優(yōu)勢

電力電子：開關電源、逆變器、BMS、直流控制器和新能源汽車快充機等

激光器（LD）：平面投影（近投、全息）、測距儀、瞄準器等

發(fā)光二極管：空氣、水消菌殺毒，醫(yī)療器械、便攜式殺毒等

功率放大器：基站、射頻器件等。

 

譽鴻錦產業(yè)效率革命 = 高良率 x IDM整合 x 高研發(fā)效率 x 設備降本 x 快速應用驗證

Super IDM產業(yè)集群 = 上游設備材料+IDM+終端技術應用+零售生態(tài)平臺

 

團隊經驗：公司擁有包括諾貝爾獎級，院士，千人等頂級的專家，聯合中科院納米所技術支持。在研發(fā)，生產工藝，產品應用擁有核心優(yōu)勢。企業(yè)核心技術團隊已掌握了外延生長、芯片設計、制造、封測等全產業(yè)鏈核心技術，形成“設計+外延+芯片+制造”的IDM模式，已取得和申請專利技術140多項。

 

推薦產品

 

GaN MOS YHJ-65P150AMC廣泛應用于PD快充、適配器等。

以手機快充為例，現在手機變得越來越強大，同時也要求給手機充電的適配器往更大功率、更高功率密度方向發(fā)展。而GaN的高頻、高效特性正好滿足此要求。

與傳統Si MOSFET相比，GaN具有以下優(yōu)點:
1、低Qg/Ciss:開斷速度快；開關速度快，減少開關損耗；
2、低Coss/ qss:開、關速度快，開關頻率高，減少開關損耗；
3 、Qrr=0:無反向恢復損失(無體二極管)，降低開關噪聲，更好的EMI性能；
4 、低 RDSON: 降低傳導損耗。GaN的這些優(yōu)點使得采用GaN的適配器尺寸更小、效率更高。