據(jù)彭博社近日?qǐng)?bào)道，臺(tái)積電今年4月份在美國(guó)的首座晶圓廠開始基于4nm制程進(jìn)行工程測(cè)試晶圓的生產(chǎn)。最新進(jìn)展顯示，4nm良率已經(jīng)與臺(tái)積電位于中國(guó)臺(tái)灣的南科廠良率相當(dāng)。

來源臺(tái)積電，臺(tái)積電亞利桑那州晶圓廠項(xiàng)目工地

臺(tái)積電表示，“亞利桑那州項(xiàng)目正在按計(jì)劃進(jìn)行，進(jìn)展良好。”

由于表現(xiàn)與進(jìn)度大幅度超出預(yù)期，晶圓廠為此還進(jìn)行了慶祝。

臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那州的首座晶圓廠，預(yù)定2025年上半年開始以4nm制程技術(shù)量產(chǎn)。預(yù)計(jì)屆時(shí)蘋果、英偉達(dá)、AMD、高通等芯片設(shè)計(jì)大廠都將會(huì)下單。

來源集微網(wǎng)

首座晶圓廠，專攻4nm節(jié)點(diǎn)，定于2025年上半年量產(chǎn)；第二座晶圓廠，提供 3nm、2nm 產(chǎn)能，預(yù)計(jì) 2028 年開始生產(chǎn)；兩座晶圓廠完工后，合計(jì)將年產(chǎn)超過60W片晶圓，換算至終端產(chǎn)品估價(jià)超過400億美元。

在美的第三座晶圓廠，瞄準(zhǔn)2nm或更先進(jìn)的制程技術(shù)，預(yù)計(jì)2029～2030年開始進(jìn)行生產(chǎn)。

這三座晶圓廠的總投資超650億美元。為此，臺(tái)積電和美國(guó)簽署了一份不具約束力的合約，美國(guó)承諾將依據(jù)《芯片與科學(xué)法案》為臺(tái)積電提供66億美元補(bǔ)貼。

來源路透社

對(duì)于臺(tái)積電的最新進(jìn)度，法人認(rèn)為，臺(tái)積電最先進(jìn)制程留中國(guó)臺(tái)灣且優(yōu)先量產(chǎn)，長(zhǎng)期整體海外產(chǎn)能計(jì)劃穩(wěn)定拉升，包含日本、德國(guó)、美國(guó)新廠等將先后加入營(yíng)收貢獻(xiàn)，有望使臺(tái)積電2028年長(zhǎng)期海外產(chǎn)能達(dá)到總產(chǎn)能占比的20%，甚至將按海外補(bǔ)助投資進(jìn)度而更高。