9月12日，英飛凌在官網(wǎng)宣布：已成功開(kāi)發(fā)出全球首款300 mm（12英寸）功率氮化鎵（GaN）晶圓技術(shù)。

來(lái)源英飛凌

與 200 mm 晶圓相比，300 mm 晶圓上的芯片生產(chǎn)在技術(shù)上更先進(jìn)，效率更高，因?yàn)楦蟮木A直徑每個(gè)晶圓可容納 2.3 倍的芯片。

300 mm GaN 技術(shù)可以提高效率性能，縮短尺寸、減輕重量，降低成本。除此以外，300 mm GaN 技術(shù)通過(guò)可擴(kuò)展性確保了客戶供應(yīng)穩(wěn)定性。

該技術(shù)的突破將加速 GaN 在汽車(chē)、工業(yè)和消費(fèi)電子等行業(yè)的采用。包括AI系統(tǒng)的電源供應(yīng)器、太陽(yáng)能逆變器、充電器和適配器以及電機(jī)控制系統(tǒng)。

英飛凌首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示：“這一顯著的成功是我們創(chuàng)新實(shí)力和全球團(tuán)隊(duì)專注工作的結(jié)果，旨在展示我們作為氮化鎵和電源系統(tǒng)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者的地位?！?/span>

作為電源系統(tǒng)的領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌掌握了所有三種相關(guān)材料：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。

300 mm GaN 技術(shù)的一個(gè)顯著優(yōu)勢(shì)是可以利用現(xiàn)有的 300 mm 硅制造設(shè)備，因?yàn)榈壓凸柙谥圃旃に嚿戏浅Ｏ嗨?。完全按比例生產(chǎn)的 300 mm GaN 將有助于在 RDS（on） 級(jí)別與 GaN 成本持平，這意味著同類 Si 和 GaN 產(chǎn)品的成本持平。

來(lái)源英飛凌

目前，英飛凌在其現(xiàn)有的 300 mm 硅生產(chǎn)中，成功地在一條集成試驗(yàn)線上制造 300 mm GaN 晶圓，并將根據(jù)市場(chǎng)需求進(jìn)一步擴(kuò)大 GaN 產(chǎn)能。

300 mm GaN 技術(shù)能夠幫助英飛凌塑造不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)。預(yù)計(jì)到2030年，該市場(chǎng)將達(dá)到數(shù)十億美元。

據(jù)悉，首批 300 mm GaN 晶圓將于 2024 年 11 月在慕尼黑展會(huì)上亮相。