*為便于理解并省去容量單位轉(zhuǎn)換的麻煩，以下容量單位均使用Byte單位（128Mbit=16MByte）

 

NOR FLASH 是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR Flash 技術(shù)(實(shí)際上是東芝的富士雄率先開發(fā)出來的)，徹底改變了原先由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory電可編程序只讀存儲器)和EEPROM(電可擦只讀存儲器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一統(tǒng)天下的局面。

 

緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND Flash 結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。NOR Flash 的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP ，eXecute In Place），這樣應(yīng)用程序可以直接在Flash閃存內(nèi)運(yùn)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR 的傳輸效率很高，在1~4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響到它的性能。NAND的結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度，可以達(dá)到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于Flash的管理需要特殊的系統(tǒng)接口。通常讀取NOR的速度比NAND稍快一些，而NAND的寫入速度比NOR快很多，在設(shè)計(jì)中應(yīng)該考慮這些情況。

 

　　

隨著物聯(lián)網(wǎng)的興起，MCU的應(yīng)用也越來越廣泛了，以前基本上用內(nèi)置的EEPROM或者外置小容量NOR Flash就可以滿足大部分需求，隨著技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用要求的提高，逐漸的MCU需要實(shí)現(xiàn)的功能也越來越多，實(shí)現(xiàn)更多功能的同時(shí)需要存儲的數(shù)據(jù)量也在增大，比如系統(tǒng)增大、存儲音頻、圖片（GUI）、視頻緩存、協(xié)議棧等等…

 

一般情況下NOR FLASH的用戶在容量不夠用時(shí)直接升級為更高一級容量的NOR FLASH 就可以了，不過也有二般情況，由于NOR的單元結(jié)構(gòu)相對較大的原因，當(dāng)容量達(dá)到一定程度時(shí)性價(jià)比會(huì)異常的低，結(jié)合生產(chǎn)工藝和目前的市場情況來看，16MB是一個(gè)分水嶺，比16MB NOR Flash大一級的32MB NOR Flash 的價(jià)格相對于16MB NOR Flash 高出一大截，甚至比128MB的NAND Flash還要貴，雪上加霜的是這貨供應(yīng)狀況還不佳，即使能接受32MB NOR Flash的價(jià)格并且把方案也開發(fā)好了，前期調(diào)試和試產(chǎn)都通過了，等到正式量產(chǎn)的時(shí)候買不到貨… 就可能會(huì)錯(cuò)過整機(jī)產(chǎn)品銷售的最佳時(shí)機(jī)。

 

這個(gè)時(shí)候有人會(huì)說：這些我都知道??！我也想用NAND Flash??！不過我的MCU不！支！持！NAND Flash??！難不成我還要換平臺從頭再開發(fā)？

　　

非也，今時(shí)不同往日，有個(gè)叫SD NAND的東東可供選擇，NAND 架構(gòu)、SD協(xié)議，只要是支持SD2.0 協(xié)議的MCU均可以使用。正常情況下使用SPI 模式，如果需要更快的速度并且IO口夠用時(shí)可以使用SD模式。內(nèi)置ECC、壞塊管理、均衡擦寫等等功能，這意味著用戶不需要額外寫驅(qū)動(dòng)來管理NAND ,當(dāng)然性能弱的MCU也做不到

　　

由于SD NAND存儲單元使用的是NAND 架構(gòu)，所以NAND 持有的基礎(chǔ)特性也繼承了下來，SD NAND在這個(gè)基礎(chǔ)上進(jìn)一步做了優(yōu)化，使得易用性和應(yīng)用兼容性上大大提升。

 

我們先看一看NOR 與 NAND的區(qū)別都有哪些。

1.NOR Flash支持隨機(jī)訪問，所以支持XIP(execute In Place)，NAND Flash需要按塊進(jìn)行讀取，所以不支持XIP 。

2.NAND FLASH理論讀取速度與NOR Flash相近，實(shí)際情況會(huì)根據(jù)接口不同有些差異。

3.NOR 與 NAND 寫入前都需要先擦除，NOR在擦除時(shí)以64～128KB的塊進(jìn)行，執(zhí)行一個(gè)寫入/擦除操作的時(shí)間約5s，NAND在擦除時(shí)以8～32KB的塊進(jìn)行，執(zhí)行一個(gè)寫入/擦除操作的時(shí)間約4ms。

4.NAND 理論最大擦除次數(shù)比NOR多

5.NOR 驅(qū)動(dòng)比NAND簡單，NAND FLASH需要通過專門的NFI（NAND FLASH Interface）與Host端進(jìn)行通信，驅(qū)動(dòng)相對復(fù)雜。

6.所有Flash 都會(huì)有位反轉(zhuǎn)的問題，NAND 位反轉(zhuǎn)概率要比NOR高，NAND Flash 必須要使用ECC。

7.NAND的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，所以NAND成本更低。

 

 

 NOR 與 NAND 各有特點(diǎn)，應(yīng)用場景與應(yīng)用難度也不同，SD NAND 在保留了NAND架構(gòu)優(yōu)質(zhì)特性的同時(shí)改進(jìn)了不足之處，內(nèi)置的控制器能自行管理NAND Flash，用戶無需在外部處理ECC和進(jìn)行壞塊管理，免去了MTD層，用戶不需要寫繁瑣的驅(qū)動(dòng)代碼。這些特性也使得NOR用戶升級NAND 成為可能。

　　

CS創(chuàng)世現(xiàn)提供128MB,512MB,4GB 等容量，同時(shí)提供商業(yè)級和工業(yè)級可選項(xiàng)，用戶根據(jù)自身需求選擇即可。

　　

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除了SD NAND 之外還有一種次選升級方案，那就是使用TF卡，不過這種解決方案需要看具體應(yīng)用環(huán)境。SD NAND 與TF卡對比資料可以參考下列文章，希望大家能找到適合自己的產(chǎn)品。

　　

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