XNRUSEMI(新銳半導體):國產(chǎn)功率器件品牌
2025-04-23 17:00:13閱讀量:356
深圳市新銳半導體科技有限公司自成立以來,始終聚焦功率MOSFET、IGBT產(chǎn)品研發(fā)和應用研究,產(chǎn)品廣泛應用于消費電子、通訊、工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域。作為專業(yè)的MOSFET分立器件設(shè)計與供應商,始終致力于推廣性能卓越,質(zhì)量穩(wěn)定且具有價格競爭力的全系列MOSFET產(chǎn)品。長期以來, 公司始終堅持以客戶為中心、傳遞廠商價值、以人為本的經(jīng)營理念,不斷引進優(yōu)秀人才、規(guī)范管理、完善流程,成為廠商與客戶之間高效的橋梁,達到雙方共同成長。
公司產(chǎn)品封裝有近31種,涵蓋電機驅(qū)動,水泵,風扇,電動車,高速電機,電動工具,航模,電池保護板,逆變器,電子煙,LED照明,車燈,摩托燈,舞臺燈,PD電源,快充,適配器,電源,無線充移動電源等應用。
產(chǎn)品應用圖示及亮點介紹
應用簡介
(1)產(chǎn)品種類非常齊全,覆蓋各種封裝形式,溝槽型MOSFET電壓段從12V~200V全方位覆蓋,通過采用最先進的溝槽柵工藝技術(shù),大幅度降低了導通電阻,產(chǎn)品可靠性高。
(2)SGT系列中低壓MOS,應用最新技術(shù),產(chǎn)品具有更快的開關(guān)速度,更低的導通電阻,有效降低了開關(guān)的功率損耗,提高了系統(tǒng)效率。其中SGT 60v p mosfet系列是國內(nèi)最早,最齊全的廠家之一,產(chǎn)品性能可靠性全國領(lǐng)先。
(3)高壓超潔SJ MOSFET采用多層外延技術(shù),產(chǎn)品有更高的抗雪崩能力,出色的EMI特性,更快的開關(guān)速度,更低的導通電阻,更高的產(chǎn)品性價比。
新銳推薦料號
商品編號 |
商品型號 |
商品封裝 |
品牌 |
目錄名稱 |
XRS320N08TL |
TOLL-8L |
XNRUSEMI(新銳) |
場效應管(MOSFET) |
|
XRS350N10TL |
TOLL-8L |
XNRUSEMI(新銳) |
場效應管(MOSFET) |
|
XRS400N06HTL |
TOLL-8L |
XNRUSEMI(新銳) |
場效應管(MOSFET) |
|
XRS400N08TL |
TOLL-8L |
XNRUSEMI(新銳) |
場效應管(MOSFET) |
|
XRS500N06HTL |
TOLL-8L |
XNRUSEMI(新銳) |
場效應管(MOSFET) |
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L7805CV-DG/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.5401 | |
AMS1117-3.3/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.1237 | |
BAT54C,215/肖特基二極管 | 0.0334 | |
LM358DR2G/運算放大器 | 0.345 | |
CJ431/電壓基準芯片 | 0.1147 | |
LM393DR2G/比較器 | 0.3153 | |
ADUM4160BRWZ-RL/隔離式USB芯片 | 31.6 | |
REF3012AIDBZR/電壓基準芯片 | 0.9357 | |
SS8050/三極管(BJT) | 0.035 | |
8S005/錫膏/錫漿 | 17.67 |
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