導讀：2月25日，合肥長鑫存儲官網(wǎng)正式公布“首顆國產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片”，同時搭載該芯片的DDR4模組也正式曝光。

  

圖：DDR4 內(nèi)存芯片（來源：長鑫存儲）

該芯片單顆容量為8Gb（即1GB）速率2666Mbps，工作電壓1.2V，與市面上主流桌面PC和筆記本內(nèi)存顆粒參數(shù)接近，芯片大師猜測應為此前長鑫宣布試產(chǎn)的10nm級工藝——初代為19nm。DDR4模組即常說的內(nèi)存條，這次一同曝光的單條內(nèi)存容量為8GB，長鑫強調(diào)其為自主開發(fā)設計和原廠內(nèi)存顆粒，可以視為RAM芯片設計、晶圓制造和PCB模組均為長鑫獨立完成。

芯片大師2019年9月份曾報道合肥長鑫：DRAM工藝已提升至10nm級別，長鑫存儲已經(jīng)開始使用19nm制造技術(shù)生產(chǎn)DDR4內(nèi)存。目前，該公司已經(jīng)制定了至少兩個10納米級制造工藝的路線圖，包括17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5內(nèi)存。

  

圖：DDR4 8GB 內(nèi)存模組（來源：長鑫存儲）

不僅如此，在現(xiàn)有的一座12寸晶圓廠基礎上，長鑫存儲還計劃再建兩個晶圓廠來提高產(chǎn)量并計劃在未來生產(chǎn)所有類型的DRAM。

長鑫的DRAM內(nèi)存技術(shù)來源主要是已破產(chǎn)的奇夢達公司，長鑫董事長朱一明介紹，通過整體收購和專利授權(quán)等方式，長鑫從奇夢達獲得了一千多萬份DRAM技術(shù)文件及2.8TB的數(shù)據(jù)，在此基礎上改進、研發(fā)自主產(chǎn)權(quán)的內(nèi)存芯片，耗資超過25億美元。同時，朱一明是國內(nèi)最大NOR Flash廠商兆易創(chuàng)新（GD）的創(chuàng)始人。

  

圖：2019年12月長鑫購入奇夢達專利（來源：長鑫存儲）

長鑫主攻的DRAM是全球存儲器市場最大的一塊蛋糕，占存儲器產(chǎn)值的52%，全球年產(chǎn)值約為746億美元，最大的廠商為三星和美光，美韓企業(yè)全球市場份額合計為94.8%；NAND占存儲器產(chǎn)值的45%，全球年產(chǎn)值為645億美元，最大廠商為SK 海力士、三星、美光和西數(shù)（WD），美韓企業(yè)全球市占率為81.4%。

全球存儲器格局請見3張圖搞懂：為什么中國一定要做存儲器？

國內(nèi)存儲器領域主要廠商有，DRAM：紫光國芯、芯成半導體（ISSI）、合肥長鑫；NAND：長江存儲，NOR：兆易創(chuàng)新（GD）。其中，紫光國芯、長江存儲和合肥長鑫被稱為“存儲器國家隊”，紫光品牌的內(nèi)存顆粒、內(nèi)存條、SSD產(chǎn)品2019年均已面世。存儲器控制芯片（主控）：華為海思、國科微、珠海建榮、聯(lián)蕓科技、北京憶芯等。

以下為國內(nèi)存儲器企業(yè)的不完全統(tǒng)計數(shù)據(jù)。

  

來源：芯片大師研究院【中國芯片地圖（2019）】

注：完整【中國芯片地圖】請進入芯片大師公眾號索取。