美國(guó)拉攏英特爾、三星、臺(tái)積電本土建廠,臺(tái)積電拒絕!
2020-05-12 18:29:26閱讀量:445
導(dǎo)讀:近日多方報(bào)道,美國(guó)政府目前正積極與英特爾、三星及臺(tái)積電討論在美建造晶圓廠事宜,然而臺(tái)積電今日回應(yīng)“無(wú)心赴美”。
圖:三星晶圓廠
臺(tái)積電的晶圓廠分別位于中國(guó)臺(tái)灣新竹、臺(tái)南以及南京3地,三星的晶圓廠分別位于韓國(guó)的Giheung,華城,溫陽(yáng)和平澤,中國(guó)的西安和蘇州以及美國(guó)得克薩斯州的奧斯汀。
英特爾的晶圓廠分別位于美國(guó)亞利桑那州、馬薩諸塞州、新墨西哥州和俄勒岡州,以及愛(ài)爾蘭萊克斯利普,以色列耶路撒冷和Kiryat Gap以及中國(guó)大連。
“暗示”三星與英特爾
據(jù)《華爾街日?qǐng)?bào)》稱,華盛頓美國(guó)官員已經(jīng)向三星暗示:應(yīng)該擴(kuò)大在美國(guó)的代工業(yè)務(wù)。
三星晶圓代工業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Eun Seung Jung 一季度在IEDM會(huì)議上表示,三星已經(jīng)完成了3nm工藝技術(shù)的性能驗(yàn)證,并且在進(jìn)一步完善該工藝,目標(biāo)是在2020年大規(guī)模量產(chǎn)。很明顯,美國(guó)意在三星的 3nm晶圓廠。
至于英特爾,美國(guó)給予了一個(gè)“極其有說(shuō)服力”的報(bào)價(jià),希望其在美國(guó)建立下一個(gè)晶圓廠。
出于反壟斷的擔(dān)憂,美國(guó)政府擔(dān)心英特爾是美國(guó)唯一一家在美國(guó)運(yùn)營(yíng)最先進(jìn)的商業(yè)工廠的公司,因此想要三星和臺(tái)積電給予英特爾一定的壓力。
“最愛(ài)”臺(tái)積電?
美國(guó)幾年來(lái)一直試圖說(shuō)服臺(tái)積電在美國(guó)建立晶圓廠,而臺(tái)積電總是表示正在考慮。前段時(shí)間,有風(fēng)聲說(shuō):臺(tái)積電一直在與美國(guó)國(guó)防部、商務(wù)部以及蘋(píng)果公司就在美建廠一事進(jìn)行討論。
據(jù)了解,臺(tái)積電在臺(tái)灣的最新5nm 芯片工廠的研發(fā)和建設(shè)投入耗資將超過(guò) 240億美元。目前臺(tái)積電正在考慮下一代2nm 制程芯片的生產(chǎn)選址,美國(guó)一直緊盯著這個(gè)名額。
而且,在英特爾、三星和臺(tái)積電3家近年的較量中,臺(tái)積電似乎更占上風(fēng),并且臺(tái)積電是美國(guó)蘋(píng)果公司A 系列芯片的主要生產(chǎn)商。
臺(tái)積電拒絕赴美
針對(duì)這個(gè)新聞,5月12日,臺(tái)積電方面回應(yīng)了一個(gè)“讓白宮失望”的答案。
圖片來(lái)源:Techweb
臺(tái)積電表示,公司積極評(píng)估海外設(shè)廠,必須符合規(guī)模經(jīng)濟(jì)、成本劃算,以及人員組織和供應(yīng)鏈完備等三大要素。美國(guó)也是選項(xiàng)之一,但目前并無(wú)具體赴美設(shè)廠計(jì)劃。
臺(tái)積電供應(yīng)鏈公司表示,臺(tái)積電目前投資重心全在臺(tái)灣,而且先進(jìn)制程技術(shù)已推進(jìn)準(zhǔn)備3nm試產(chǎn),2nm也進(jìn)入尋求技術(shù)路徑,生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)是南科廠。
事件延伸
以往幾十年,美國(guó)的高科技公司一直被亞洲的低廉勞動(dòng)力和優(yōu)惠政策吸引,芯片生產(chǎn)密集地分布在中國(guó)大陸、中國(guó)臺(tái)灣和韓國(guó)等地。
如今疫情蔓延,亞洲地區(qū)的優(yōu)勢(shì)反而并不明顯,美國(guó)政府便趁此良機(jī),鉚足了勁給補(bǔ)貼,期望一舉拿下“三巨頭”。
有趣的是,日本政府也表示,日本擁有完善的半導(dǎo)體制造基礎(chǔ),相關(guān)供應(yīng)鏈也非常完善,鼓勵(lì)臺(tái)積電、英特爾等在內(nèi)的半導(dǎo)體制造商將生產(chǎn)線搬到日本。這場(chǎng)爭(zhēng)奪戰(zhàn)誰(shuí)能獲勝,真的不好說(shuō)。

L7805CV-DG/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.5401 | |
AMS1117-3.3/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.1237 | |
BAT54C,215/肖特基二極管 | 0.0335 | |
LM358DR2G/運(yùn)算放大器 | 0.345 | |
CJ431/電壓基準(zhǔn)芯片 | 0.1147 | |
LM393DR2G/比較器 | 0.3153 | |
ADUM4160BRWZ-RL/隔離式USB芯片 | 31.6 | |
REF3012AIDBZR/電壓基準(zhǔn)芯片 | 0.9357 | |
SS8050/三極管(BJT) | 0.035 | |
8S005/錫膏/錫漿 | 17.67 |
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