場效應(yīng)晶體管的選擇和常用型號
2020-05-19 15:53:14閱讀量:2917
場效應(yīng)晶體管簡稱場效應(yīng)管,有兩種類型:結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場效應(yīng)管(MOS管),是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。
??1.選擇合適的溝道(N溝道還是P溝道)
??挑選好場效應(yīng)晶體管電子元件的第一步是取決選用N溝道或是P溝道場效應(yīng)晶體管。在典型的功率使用中,當一個場效應(yīng)晶體管接地,而負載接入到干線電壓上時,該場效應(yīng)晶體管就組成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中,應(yīng)選用N溝道場效應(yīng)晶體管,它是出自于對關(guān)閉或?qū)娮釉妷旱目紤]。當場效應(yīng)晶體管接入到總線及負載接地時,就需要用高壓側(cè)開關(guān)。一般會在這一拓撲中選用P溝道場效應(yīng)晶體管,這又是出于對電壓驅(qū)動的考慮。
??2.確定場效應(yīng)管的額定電流,額定電壓和導(dǎo)通損耗。
??額定電壓的確認
??明確需用的額定電壓,或是電子元件能夠承載的最高電壓。額定電壓越大,電子元件的成本就越高。按照實踐證明,額定電壓應(yīng)該高于干線電壓或總線電壓。這樣才可以提供足夠的保護,使場效應(yīng)晶體管不會失靈。
??就挑選場效應(yīng)晶體管來講,務(wù)必明確漏極至源極間將會承載的最高電壓,即最大VDS。了解場效應(yīng)晶體管能承載的最高電壓會隨溫度而變動這點非常關(guān)鍵。我們須在整個操作溫度范圍內(nèi)檢測電壓的變動范圍。額定電壓一定要有足夠的余量覆蓋這一變動范圍,保障電路不會無效。
??需要考慮的其它安全因素包含由開關(guān)電子產(chǎn)品(如電機或變壓器)引起的電壓瞬變。不同使用的額定電壓也各有不同,一般來說,便攜式設(shè)備為20V、FPGA電源為20~30V、85~220VAC應(yīng)用為450~600V。
??額定電流的確認
??該額定電流應(yīng)是負載在全部狀態(tài)下可以承載的最高電流。與電壓的情形類似,保證選定的場效應(yīng)晶體管能經(jīng)受這一額定電流,即便在系統(tǒng)造成尖峰電流時。兩個考慮的電流情形是持續(xù)模式和脈沖尖峰。在持續(xù)導(dǎo)通模式下,場效應(yīng)晶體管處在穩(wěn)態(tài),這時電流持續(xù)通過電子元件。脈沖尖峰指的是有大量電涌(或尖峰電流)流經(jīng)電子元件。一旦明確了這些條件下的最高電流,只需直接挑選能承載這個最高電流的電子元件便可。
??導(dǎo)通損耗的計算
??在實際情況下,場效應(yīng)晶體管并不一定是理想的電子元件,歸因于在導(dǎo)電過程中會有電能消耗,這叫做導(dǎo)通損耗。場效應(yīng)晶體管在“導(dǎo)通”時好比一個可變電阻,由電子元件的RDS(ON)所確認,并隨溫度而明顯變動。
??電子元件的功率損耗可由Iload2×RDS(ON)估算,因為導(dǎo)通電阻隨溫度變動,因而功率損耗也會隨著按占比變動。對場效應(yīng)晶體管施加的電壓VGS越高,RDS(ON)就會越小;反之RDS(ON)就會越高。注意RDS(ON)電阻會隨著電流輕微升高。關(guān)于RDS(ON)電阻的各類電氣叁數(shù)變動可在生產(chǎn)商出示的技術(shù)資料表里得知。
??3.確定熱要求,設(shè)計人員在設(shè)計時必須考慮到最壞和真實兩種情況。一般建議采用針對最壞的結(jié)果計算,因為這個結(jié)果提供更大的安全余量,能夠確保系統(tǒng)不會失效。
??系統(tǒng)散熱要求
??須考慮二種不一樣的情況,即最壞情況和具體情況。提議選用針對最壞情況的計算結(jié)果,由于這一結(jié)論提供更大的安全余量,能確保系統(tǒng)不易失靈。在場效應(yīng)晶體管的材料表上還有一些必須留意的測量數(shù)據(jù),電子元件的結(jié)溫相當于最大環(huán)境溫度再加熱阻與功率耗散的乘積(結(jié)溫=最大環(huán)境溫度+[熱阻×功率耗散])。
??依據(jù)這個式子可解出系統(tǒng)的最大功率損耗,即按定義相當于I2×RDS(ON)。我們已即將通過電子元件的最大電流,能夠估算出不同溫度下的RDS(ON)。此外,也要搞好電路板以及場效應(yīng)晶體管的散熱。
??雪崩擊穿指的是半導(dǎo)體器件上的反向電壓超出最高值,并產(chǎn)生強電場使電子元件內(nèi)電流增加。晶片尺寸的增加會增強抗雪崩能力,最后提高電子元件的穩(wěn)健性。因而挑選更大的封裝件能夠有效避免雪崩。

??場效應(yīng)晶體管如何選擇?
??1.選擇合適的溝道(N溝道還是P溝道)
??挑選好場效應(yīng)晶體管電子元件的第一步是取決選用N溝道或是P溝道場效應(yīng)晶體管。在典型的功率使用中,當一個場效應(yīng)晶體管接地,而負載接入到干線電壓上時,該場效應(yīng)晶體管就組成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中,應(yīng)選用N溝道場效應(yīng)晶體管,它是出自于對關(guān)閉或?qū)娮釉妷旱目紤]。當場效應(yīng)晶體管接入到總線及負載接地時,就需要用高壓側(cè)開關(guān)。一般會在這一拓撲中選用P溝道場效應(yīng)晶體管,這又是出于對電壓驅(qū)動的考慮。
??2.確定場效應(yīng)管的額定電流,額定電壓和導(dǎo)通損耗。
??額定電壓的確認
??明確需用的額定電壓,或是電子元件能夠承載的最高電壓。額定電壓越大,電子元件的成本就越高。按照實踐證明,額定電壓應(yīng)該高于干線電壓或總線電壓。這樣才可以提供足夠的保護,使場效應(yīng)晶體管不會失靈。
??就挑選場效應(yīng)晶體管來講,務(wù)必明確漏極至源極間將會承載的最高電壓,即最大VDS。了解場效應(yīng)晶體管能承載的最高電壓會隨溫度而變動這點非常關(guān)鍵。我們須在整個操作溫度范圍內(nèi)檢測電壓的變動范圍。額定電壓一定要有足夠的余量覆蓋這一變動范圍,保障電路不會無效。
??需要考慮的其它安全因素包含由開關(guān)電子產(chǎn)品(如電機或變壓器)引起的電壓瞬變。不同使用的額定電壓也各有不同,一般來說,便攜式設(shè)備為20V、FPGA電源為20~30V、85~220VAC應(yīng)用為450~600V。
??額定電流的確認
??該額定電流應(yīng)是負載在全部狀態(tài)下可以承載的最高電流。與電壓的情形類似,保證選定的場效應(yīng)晶體管能經(jīng)受這一額定電流,即便在系統(tǒng)造成尖峰電流時。兩個考慮的電流情形是持續(xù)模式和脈沖尖峰。在持續(xù)導(dǎo)通模式下,場效應(yīng)晶體管處在穩(wěn)態(tài),這時電流持續(xù)通過電子元件。脈沖尖峰指的是有大量電涌(或尖峰電流)流經(jīng)電子元件。一旦明確了這些條件下的最高電流,只需直接挑選能承載這個最高電流的電子元件便可。
??導(dǎo)通損耗的計算
??在實際情況下,場效應(yīng)晶體管并不一定是理想的電子元件,歸因于在導(dǎo)電過程中會有電能消耗,這叫做導(dǎo)通損耗。場效應(yīng)晶體管在“導(dǎo)通”時好比一個可變電阻,由電子元件的RDS(ON)所確認,并隨溫度而明顯變動。
??電子元件的功率損耗可由Iload2×RDS(ON)估算,因為導(dǎo)通電阻隨溫度變動,因而功率損耗也會隨著按占比變動。對場效應(yīng)晶體管施加的電壓VGS越高,RDS(ON)就會越小;反之RDS(ON)就會越高。注意RDS(ON)電阻會隨著電流輕微升高。關(guān)于RDS(ON)電阻的各類電氣叁數(shù)變動可在生產(chǎn)商出示的技術(shù)資料表里得知。
??3.確定熱要求,設(shè)計人員在設(shè)計時必須考慮到最壞和真實兩種情況。一般建議采用針對最壞的結(jié)果計算,因為這個結(jié)果提供更大的安全余量,能夠確保系統(tǒng)不會失效。
??系統(tǒng)散熱要求
??須考慮二種不一樣的情況,即最壞情況和具體情況。提議選用針對最壞情況的計算結(jié)果,由于這一結(jié)論提供更大的安全余量,能確保系統(tǒng)不易失靈。在場效應(yīng)晶體管的材料表上還有一些必須留意的測量數(shù)據(jù),電子元件的結(jié)溫相當于最大環(huán)境溫度再加熱阻與功率耗散的乘積(結(jié)溫=最大環(huán)境溫度+[熱阻×功率耗散])。
??依據(jù)這個式子可解出系統(tǒng)的最大功率損耗,即按定義相當于I2×RDS(ON)。我們已即將通過電子元件的最大電流,能夠估算出不同溫度下的RDS(ON)。此外,也要搞好電路板以及場效應(yīng)晶體管的散熱。
??雪崩擊穿指的是半導(dǎo)體器件上的反向電壓超出最高值,并產(chǎn)生強電場使電子元件內(nèi)電流增加。晶片尺寸的增加會增強抗雪崩能力,最后提高電子元件的穩(wěn)健性。因而挑選更大的封裝件能夠有效避免雪崩。
??常用的場效應(yīng)晶體管型號介紹
??1.絕緣柵場效應(yīng)管(MOS管)常見型號
??2.結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)常見型號
品牌 | 型號 | 購買鏈接 |
ON(安森美) |
MMBFJ177LT1G |
https://item.szlcsc.com/107979.html |
TOSHIBA(東芝) |
2SK209-GR(TE85L,F) | https://item.szlcsc.com/62846.html |
場效應(yīng)晶體管相關(guān)知識推薦:
1. MOSFET選型技巧
3. 關(guān)于MOS管失效的六大原因總結(jié)!

熱門物料
型號
價格
L7805CV-DG/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.5401 | |
AMS1117-3.3/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.1237 | |
BAT54C,215/肖特基二極管 | 0.0335 | |
LM358DR2G/運算放大器 | 0.345 | |
CJ431/電壓基準芯片 | 0.1147 | |
LM393DR2G/比較器 | 0.3153 | |
ADUM4160BRWZ-RL/隔離式USB芯片 | 31.6 | |
REF3012AIDBZR/電壓基準芯片 | 0.9357 | |
SS8050/三極管(BJT) | 0.035 | |
8S005/錫膏/錫漿 | 17.67 |
熱門資訊
- XBLW/芯伯樂產(chǎn)品應(yīng)用在數(shù)字萬用表上的開發(fā)設(shè)計
- 鴻利智匯:成為LED車燈國產(chǎn)化堅定擁護者
- STM32F103C8T6和GD32F103C8T6有啥區(qū)別?
- 原來小米的屏幕,放大后長這樣!我做了個電子顯微鏡……
- 動態(tài)心電圖設(shè)備存儲解決方案:STM32L431RCT6主芯片與貼片式TF卡
- 航順:32位MCU HK32F005顛覆市場格局
- 太實用了!這只焊筆的功能,多得剛剛好……
- CMOS圖像傳感器巨頭拆分芯片業(yè)務(wù)!
- YXC低抖動HCSL差分晶振助力PCIE 5.0
- 長運通四路DC/DC微電源模塊新品上市