MOS管英文全稱為Metal Oxide Semiconductor即金屬氧化物半導(dǎo)體，即在集成電路中絕緣性場(chǎng)效應(yīng)管。確切的說(shuō)，這個(gè)名字描述了集成電路中MOS管的結(jié)構(gòu)，即：在一定結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵極。

MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能，這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。

MOS管工作原理

MOS管的工作原理(以N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)它是利用VGS來(lái)控制“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況，然后達(dá)到控制漏極電流的目的。

  

在制造管子時(shí)，通過(guò)工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷，這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導(dǎo)電溝道，即使在VGS=0時(shí)也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時(shí)，溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變，導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

MOS管的分類(lèi)

MOS管按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種，按導(dǎo)電方式又分耗盡型與增強(qiáng)型，所以MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型，P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類(lèi)。不過(guò)現(xiàn)實(shí)中，耗盡型的類(lèi)型很少，而P溝道也比較少，最多的就是N溝道增強(qiáng)型。

  

大部分MOS管的外觀極其類(lèi)似，常見(jiàn)的封裝種類(lèi)有TO252 / TO220 / TO92 / TO3 / TO247等等，但具體的型號(hào)有成千上萬(wàn)種，因此光從外觀是無(wú)法區(qū)分的。對(duì)于不熟悉型號(hào)，經(jīng)驗(yàn)又比較少的人來(lái)說(shuō)，比較好的方法就是查器件的datasheet。

里面會(huì)詳細(xì)告訴你，它的類(lèi)型和具體參數(shù)，這些參數(shù)對(duì)于你設(shè)計(jì)電路極有用。我們區(qū)分類(lèi)型，一般就是看型號(hào)，比如IRF530 / IRF540 / IRF3205 / IRPF250等這些都是很常見(jiàn)的N溝道增強(qiáng)型。

無(wú)論N型或者P型MOS管，其工作原理本質(zhì)是一樣的，是由加在輸入端柵極的電壓來(lái)控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過(guò)加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會(huì)發(fā)生像三極管做開(kāi)關(guān)時(shí)的因基極電流引起的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，因此在開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，MOS管的開(kāi)關(guān)速度應(yīng)該比三極管快。

  

N型MOS管的特性：VGS大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接地時(shí)的情況（低端驅(qū)動(dòng)），只要柵極電壓達(dá)到一定電壓（如4V或10V，其他電壓看手冊(cè)）就可以了。

P型MOS管的特性：VGS小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時(shí)的情況（高端驅(qū)動(dòng)）。但是，雖然P型MOS管可以很方便地用作高端驅(qū)動(dòng)，但由于導(dǎo)通電阻大、價(jià)格貴、替換種類(lèi)少等原因，在高端驅(qū)動(dòng)中通常還是使用N型MOS管。

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