快閃存儲器（英語：Flash Memory），是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式，允許在操作中被多次擦或?qū)懙拇鎯ζ?。這種科技主要用于一般性數(shù)據(jù)存儲，以及在電腦與其他數(shù)字產(chǎn)品間交換傳輸數(shù)據(jù)，如儲存卡與U盤。閃存是非易失性的存儲器，所以單就保存數(shù)據(jù)而言， 它是不需要消耗電力的。

硬盤相比，閃存也有更佳的動態(tài)抗震性。這些特性正是閃存被移動設(shè)備廣泛采用的原因。閃存還有一項特性：當它被制成儲存卡時非?？煽?，即使浸在水中也足以抵抗高壓與極端的溫度。閃存的寫入速度往往明顯慢于讀取速度。

  

一、NorFlash

NOR Flash需要很長的時間進行抹寫，但是它提供完整的尋址與數(shù)據(jù)總線，并允許隨機存取存儲器上的任何區(qū)域，這使的它非常適合取代老式的ROM芯片。當時ROM芯片主要用來存儲幾乎不需更新的代碼，例如電腦的BIOS或機上盒（Set-top Box）的固件。NOR Flash可以忍受一萬到一百萬次抹寫循環(huán)，它同時也是早期的可移除式快閃存儲媒體的基礎(chǔ)。CompactFlash本來便是以NOR Flash為基礎(chǔ)的，雖然它之后跳槽到成本較低的 NAND Flash。

二、NandFlash

NAND Flash式東芝在1989年的國際固態(tài)電路研討會（ISSCC）上發(fā)表的， 要在NandFlash上面讀寫數(shù)據(jù)，要外部加主控和電路設(shè)計。NAND Flash具有較快的抹寫時間， 而且每個存儲單元的面積也較小，這讓NAND Flash相較于NOR Flash具有較高的存儲密度與較低的每比特成本。同時它的可抹除次數(shù)也高出NOR Flash十倍。然而NAND Flash 的I/O接口并沒有隨機存取外部地址總線，它必須以區(qū)塊性的方式進行讀取，NAND Flash典型的區(qū)塊大小是數(shù)百至數(shù)千比特。

因為多數(shù)微處理器與微控制器要求字節(jié)等級的隨機存取，所以NAND Flash不適合取代那些用以裝載程序的ROM。從這樣的角度看來，NAND Flash比較像光盤、硬盤這類的次級存儲設(shè)備。NAND Flash非常適合用于儲存卡之類的大量存儲設(shè)備。第一款創(chuàng)建在NAND Flash基礎(chǔ)上的可移除式存儲媒體是SmartMedia，此后許多存儲媒體也跟著采用NAND Flash，包括MultiMediaCard、Secure Digital、Memory Stick與xD卡。

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三、eMMC

eMMC （Embedded Multi Media Card） 為MMC協(xié)會所訂立的，eMMC 相當于 NandFlash+主控IC，對外的接口協(xié)議與SD、TF卡一樣，主要是針對手機或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲器標準規(guī)格。eMMC的一個明顯優(yōu)勢是在封裝中集成了一個控制器，它提供標準接口并管理閃存，使得手機廠商就能專注于產(chǎn)品開發(fā)的其它部分，并縮短向市場推出產(chǎn)品的時間。這些特點對于希望通過縮小光刻尺寸和降低成本的NAND供應(yīng)商來說，同樣的重要。

eMMC由一個嵌入式存儲解決方案組成，帶有MMC（多媒體卡）接口、快閃存儲器設(shè)備（Nand Flash）及主控制器，所有都在一個小型的BGA 封裝。接口速度高達每秒52MBytes，eMMC具有快速、可升級的性能。同時其接口電壓可以是 1.8v 或者是 3.3v。

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