延伸SiC版圖,安森美宣布收購(gòu)GTAT
2021-08-26 17:22:42閱讀量:334來(lái)源:芯片大師
來(lái)源:onsemi
GTAT 成立于1994年,在包括 SiC 在內(nèi)的晶體生長(zhǎng)方面擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)。SiC 是下一代半導(dǎo)體的關(guān)鍵材料,可為 SiC 功率開(kāi)關(guān)器件提供技術(shù)優(yōu)勢(shì),顯著提高電動(dòng)車(chē) (EV)、EV充電和能源基礎(chǔ)設(shè)施的系統(tǒng)能效。
該交易將使安森美更好地確保和增加SiC的供應(yīng),滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)可持續(xù)生態(tài)系統(tǒng)中基于SiC的方案的快速增長(zhǎng)需求,包括EV、EV 充電和能源基礎(chǔ)設(shè)施。隨著可持續(xù)生態(tài)系統(tǒng)在未來(lái)十年的快速發(fā)展,把安森美的制造能力與GTAT的技術(shù)專(zhuān)長(zhǎng)相結(jié)合,將加速SiC的開(kāi)發(fā),使安森美更好地服務(wù)于客戶(hù)。這增強(qiáng)的SiC能力將使安森美能夠向客戶(hù)保證關(guān)鍵器件的供應(yīng),進(jìn)一步商用化智能電源技術(shù)。
圖:安森美 CEO Hassane El-Khoury
安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury說(shuō):“該交易反映了我們對(duì)碳化硅方案進(jìn)行有意義投資的信心和明確承諾,以支持創(chuàng)造智能電源和感知技術(shù),幫助建立一個(gè)可持續(xù)的未來(lái)。我們專(zhuān)注于深化我們?cè)陬嵏残约夹g(shù)的領(lǐng)導(dǎo)地位和創(chuàng)新,支持汽車(chē)和工業(yè)領(lǐng)域,而GTAT帶來(lái)了在開(kāi)發(fā)晶圓就緒的碳化硅方面出色的技術(shù)能力和專(zhuān)知,我們打算加快和擴(kuò)展這些技術(shù),以更好地增強(qiáng)我們?cè)诟咴鲩L(zhǎng)終端市場(chǎng)賦能客戶(hù)之能力。我們期待著歡迎GTAT的有才干的員工加入安森美團(tuán)隊(duì),共同推動(dòng)創(chuàng)新?!?/span>
GTAT總裁兼首席執(zhí)行官Greg Knight說(shuō):“今天的公告標(biāo)志著GTAT開(kāi)始了新的篇章,證明了我們團(tuán)隊(duì)的努力和實(shí)力所創(chuàng)造的價(jià)值。安森美的戰(zhàn)略定位能擴(kuò)大我們的能力,提供資源和平臺(tái),以充分發(fā)揮我們尖端生產(chǎn)技術(shù)的潛力,確保我們持續(xù)處在先進(jìn)晶體生長(zhǎng)領(lǐng)域的前沿?!?/span>
圖:GTAT 的 SiC 應(yīng)用
安森美計(jì)劃投資于擴(kuò)大GTAT的研發(fā)工作,以推進(jìn)150毫米和200毫米SiC晶體生長(zhǎng)技術(shù),同時(shí)還投資于更廣泛的SiC供應(yīng)鏈,包括晶圓廠產(chǎn)能和封裝。
該交易已獲安森美和GTAT董事會(huì)的一致批準(zhǔn),預(yù)計(jì)將在2022年上半年完成。
關(guān)于GTAT
GT Advanced Technologies Inc.及其包括 GTAT Corporation的全資子公司,總部位于美國(guó)新罕布什爾州哈德遜,為高增長(zhǎng)市場(chǎng)制造 SiC 和藍(lán)寶石材料。碳化硅材料是加速采用電動(dòng)車(chē)、大功率工業(yè)電機(jī)和電信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用等新一代產(chǎn)品的基礎(chǔ)。藍(lán)寶石材料是先進(jìn)光學(xué)、機(jī)械和激光應(yīng)用以及航空航天/國(guó)防系統(tǒng)的基礎(chǔ)。GTAT 是其服務(wù)的多元化市場(chǎng)中重要的供應(yīng)鏈合作伙伴。
L7805CV-DG/線(xiàn)性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.5401 | |
AMS1117-3.3/線(xiàn)性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.1237 | |
BAT54C,215/肖特基二極管 | 0.0335 | |
LM358DR2G/運(yùn)算放大器 | 0.345 | |
CJ431/電壓基準(zhǔn)芯片 | 0.1147 | |
LM393DR2G/比較器 | 0.3153 | |
ADUM4160BRWZ-RL/隔離式USB芯片 | 31.6 | |
REF3012AIDBZR/電壓基準(zhǔn)芯片 | 0.9357 | |
SS8050/三極管(BJT) | 0.035 | |
8S005/錫膏/錫漿 | 17.67 |
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