CS創(chuàng)世SD NAND與SPI NAND之間的區(qū)別
2022-09-02 11:32:56閱讀量:3244
最近有很多客戶在使用CS創(chuàng)世 SD NAND的時候都會問SD NAND與SPI NAND有什么區(qū)別,下面我們來一起了解下:
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內(nèi)部材質(zhì):主流SD NAND與SPI NAND基本上都是使用SLC NAND FLASH晶圓,擦寫壽命可達(dá)5萬-10萬次;
接口以及驅(qū)動程序:SD NAND正常接CPU是用SDIO接口,SPI NAND是接SPI接口使用,很多主流的CPU都是自帶SDIO的驅(qū)動,因此使用SD NAND的時候不需要在額外的來寫驅(qū)動,而使用SPI NAND往往要重新寫驅(qū)動
讀寫速度:由于接口和協(xié)議的差異,兩者的速度相差較大,SD NAND走的是4bit傳輸帶寬,讀寫速度要比SPI NAND快很多,最高寫入速度可以達(dá)到class10,而SPI NAND主流還是1bit傳輸模式,所以速度上會慢很多,理論上相差4倍
以CSNP1GCRR01-AOW和ATO25D1GA為例來說明
是一種基于NANDFlash和SD控制器的1Gb嵌入式存儲密度。與原始NAND相比,該產(chǎn)品有許多優(yōu)點,具有更強的嵌入式壞塊管理和ECC校驗。即使是在異常斷電時,它仍然能保持?jǐn)?shù)據(jù)的安全。CSNP1GCR01-AOW是LGA-8封裝。尺寸為8毫米x6 毫米x0.75毫米mm
ATO25D1GA :
ATO25D1GA是1Gbit并且?guī)в?2Mbit備用容量的存儲。標(biāo)準(zhǔn)電壓為3.3V。內(nèi)存被劃分為可以獨立擦除的塊,以便在刪除舊數(shù)據(jù)時保留有效的數(shù)據(jù)。該設(shè)備包含1024個塊,由64頁組成,由32個系列連接的閃存單元的兩個NAND結(jié)構(gòu)組成。程序操作可以在典型的200字節(jié)的2040ms上執(zhí)行,擦除操作可以在128k字節(jié)的典型2ms上的塊上執(zhí)行。頁面中的數(shù)據(jù)可以在每個字節(jié)的25ns的周期時間內(nèi)讀出.
- SD NAND與SPI NAND都是有塊堆疊而成的,都是一個原始的RAW加上一個控制器,但從單個快來看他們是有區(qū)別的。
- SD NAND單個塊為512字節(jié),擦除、讀寫都是以塊為單位進(jìn)行的,而且SD NAND可以直接寫入,不需要先擦除才能寫入。
- SPI NAND單個塊為128K字節(jié),擦除是以塊為單位的,讀是以頁為單位的,寫是以塊為單位,SPI NAND必須先要進(jìn)行擦除,才能寫入。
從結(jié)構(gòu)圖來看
SD NAND結(jié)構(gòu)圖
SPI NAND結(jié)構(gòu)圖
從數(shù)據(jù)傳輸來看
直到SD NAND識別模式結(jié)束,主機應(yīng)保持FOD頻率,因為一些SDNAND可能有在SD NAND識別模式下的工作頻率限制。在數(shù)據(jù)傳輸模式下,主機可能會操作SD NAND,在f PP頻率范圍內(nèi)。主機發(fā)出SEND_CSD (CMD9)來獲取SDNAND特定數(shù)據(jù)(CSD寄存器),例如塊長度,SD NAND存儲容量等。廣播命令SET_DSR (CMD4)配置所有標(biāo)識的SDNAND的驅(qū)動程序階段。它對DSR進(jìn)行編程與應(yīng)用程序總線布局(長度)、總線上的SDNAND數(shù)量和數(shù)據(jù)傳輸頻率相對應(yīng)的寄存器時鐘速率也從FOD切換到FPP。SET_DSR命令是SDNAND和主機的一個選項。
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SPI是私有協(xié)議:
比如SPI NAND在一個頁面的讀取操作如下圖:
從下圖可以看出來SPI的讀是通過0FH或者13H這樣類似的命令來操作的,以0FH這個操作為例子,從0到7總共8個地址,這8個地址的信息總共占一個字節(jié)的存儲空間,然后通過解碼,被地址寄存器輸送信息給通信SI/SO。
同樣的寫的操作如下:
這是一個串行數(shù)據(jù)連續(xù)傳輸圖,SLCK這里發(fā)送命令從Data Byte2一直到Data Byte2112,然后SI這里一會不間斷的寫入8byte address,剛好也有Data Byte2-Data Byte3------Data BYte2112。
塊擦除操作如下
SCLK(時鐘)command通信口SI,然后SI這里發(fā)出一個D8h的指令,然后對從MSB(最高有效位)23-0一個24bit Address進(jìn)行擦寫。
SD NAND由于內(nèi)置了全套管理算法,在穩(wěn)定度方面會好很多。特別是針對掉電保護這塊。例如CS創(chuàng)世 SD NAND二代通過了客戶10K次的隨機掉電測試。而SPI NAND“繼承”了NAND Flash先擦后寫機制帶來的弊端,在寫入數(shù)據(jù)的時候突然掉電很容易丟失數(shù)據(jù)
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從整體來看SD NAND是一個集成了完整的NAND Flash算法的Total Solution,而SPI NAND主要是完成協(xié)議的轉(zhuǎn)換,內(nèi)置算法并不完整;深圳市雷龍發(fā)展科技有限公司是一家專注于SD NAND銷售代理的公司,歡迎各界朋友們隨時來咨詢。

L7805CV-DG/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.5401 | |
AMS1117-3.3/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.1237 | |
BAT54C,215/肖特基二極管 | 0.0335 | |
LM358DR2G/運算放大器 | 0.345 | |
CJ431/電壓基準(zhǔn)芯片 | 0.1147 | |
LM393DR2G/比較器 | 0.3153 | |
ADUM4160BRWZ-RL/隔離式USB芯片 | 31.6 | |
REF3012AIDBZR/電壓基準(zhǔn)芯片 | 0.9357 | |
SS8050/三極管(BJT) | 0.035 | |
8S005/錫膏/錫漿 | 17.67 |
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