CS創(chuàng)世 SD NAND和Raw NAND優(yōu)劣勢對比
2022-10-10 15:17:31閱讀量:958
關(guān)于什么是CS 創(chuàng)世 SD NAND(也稱:迷你型eMMC,小尺寸/小容量eMMC,貼片式T卡,貼片式TF卡,貼片式SD卡等) 我們之前專門有一個詳情介紹:http://www.longsto.com/product/31.html。
那CS創(chuàng)世 SD NAND與普通NAND Flash(Raw NAND)又有什么區(qū)別呢?這里我們做了一個對比圖:
從上可以看到CS創(chuàng)世 SD NAND跟Raw NAND主要區(qū)別在于:
1,免驅(qū)動使用。SD NAND內(nèi)置了針對NAND Flash的壞塊管理,平均讀寫,動態(tài)和靜態(tài)的EDC/ECC等算法。帶來的好處有:
b) 減少CPU的負荷。讓后續(xù)針對NAND Flash的操作,都可以交給SD NAND,CPU可以不用再管了。
c) 節(jié)省程序員時間和公司成本。我們有碰到客戶花了3個月時間自己寫NAND Flash驅(qū)動,最終還是放棄了。3個月程序員工時成本是多少,大家可以算一下。
d) 加快產(chǎn)品的研發(fā)進度。使用SD NAND,研發(fā)人員可以專注于產(chǎn)品功能的實現(xiàn),而不是耗在NAND Flash的底層驅(qū)動上面。
2,性能更穩(wěn)定。由于NAND Flash內(nèi)部是先擦后寫機制,如果軟件處理不當,在突然掉電的時候就會導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。而SD NAND內(nèi)部自帶的垃圾回收等機制可以很好的規(guī)避這個問題。因此CS創(chuàng)世的二代產(chǎn)品才會通過10K次的隨機掉電測試。
3,尺寸更小。目前SD NAND 是6*8mm 大小,8個pin腳,相比Raw NAND的12*20mm大小,48個pin腳,采用SD NAND可以做出更小巧的產(chǎn)品,而且也能節(jié)省CPU寶貴的GPIO口(這點對于MCU單片機來說更是重要)
4,SD NAND可選容量更多。目前有128MB/512MB/4GB容量。而SLC 的Raw NAND 主流容量128MB,512MB已經(jīng)少見,供貨周期也很長;單顆4GB的Raw NAND基本都是MLC或者TLC NAND的晶圓,管理起來更復(fù)雜。
5,SD NAND的讀寫速度更快。

L7805CV-DG/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.5401 | |
AMS1117-3.3/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.1237 | |
BAT54C,215/肖特基二極管 | 0.0334 | |
LM358DR2G/運算放大器 | 0.345 | |
CJ431/電壓基準芯片 | 0.1147 | |
LM393DR2G/比較器 | 0.3153 | |
ADUM4160BRWZ-RL/隔離式USB芯片 | 31.6 | |
REF3012AIDBZR/電壓基準芯片 | 0.9357 | |
SS8050/三極管(BJT) | 0.035 | |
8S005/錫膏/錫漿 | 17.67 |
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