ANHI(安海):優(yōu)質(zhì)的功率器件供應(yīng)商
2023-10-16 12:08:17閱讀量:724
一、公司概況
安海半導(dǎo)體(ANHI Semiconductor)是由具備功率半導(dǎo)體行業(yè)超過20年經(jīng)驗的資深團隊組建而成,專注于高性能功率半導(dǎo)體技術(shù)、產(chǎn)品及系統(tǒng)方案的開發(fā)。以自主知識產(chǎn)權(quán)體系、自主工藝器件技術(shù)和產(chǎn)品技術(shù)為核心的構(gòu)建國內(nèi)首個專注于高性能第三代功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)先的公司。為國內(nèi)電源、動力驅(qū)動及能源轉(zhuǎn)換行業(yè)提供從分立器件到模組級解決方案。
安海半導(dǎo)體推出基于世界領(lǐng)先的平面高密度工藝與溝槽工藝的第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體碳化硅SIC MOSFET產(chǎn)品,并且擁有首份國內(nèi)碳化硅SIC MOSFET 溝槽結(jié)構(gòu)發(fā)明專利。產(chǎn)品性能:高頻率、高功率、高效率、低導(dǎo)通電阻;具有電流密度高、開關(guān)速度快、浪涌和短路能力強;電壓覆蓋1200V、1700V、1900V、3300V等廣泛電壓和以上優(yōu)點。
典型應(yīng)用領(lǐng)域為:新能源汽車、充電樁、工業(yè)電源、光伏逆變、儲能電源、風(fēng)力發(fā)電、軌道交通等。在新能源應(yīng)用上更能滿足新能源汽車、充電樁高效率和高功率密度的性能要求。
二、品質(zhì)保障與技術(shù)創(chuàng)新
公司注重內(nèi)部的制度建設(shè)和體系管理,在品質(zhì)管控、節(jié)能環(huán)保和安全生產(chǎn)方面建立了完整的制度體系,已通過 ISO9001:2015質(zhì)量體系等認(rèn)證。公司擁有多項核心專利,在自主研發(fā)MOS領(lǐng)域處于國際領(lǐng)先水平。
三、豐富的器件種類
SIC MOS系列:
安海半導(dǎo)體推出基于世界領(lǐng)先的車規(guī)級平面高密度工藝與溝槽工藝的第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體碳化硅SIC MOSFET產(chǎn)品,產(chǎn)品性能:高頻率、高功率、高效率、低導(dǎo)通電阻優(yōu)點。具有電流密度高、開關(guān)速度快、浪涌和短路能力強等優(yōu)點,電壓覆蓋1200V、1700V、1900V,典型應(yīng)用領(lǐng)域為新能源汽車、充電樁、工業(yè)電源、光伏逆變、儲能電源、風(fēng)力發(fā)電、軌道交通等。在應(yīng)用上更能滿足充電樁高效率和高功率密度的性能要求。
超結(jié)MOS系列:
安海半導(dǎo)體推出新一代SJ MOSFET系列,采用先進的多層外延技術(shù),優(yōu)化了元胞結(jié)構(gòu),具有電流能力強,短路能力好,雪崩特性強,體內(nèi)二極管反向恢復(fù)特性優(yōu),dv/dt能力優(yōu),EMI特性好,抗浪涌能力強的等特點和優(yōu)點。 基于電荷平衡,超結(jié)核心是pillar柱與N-EPI 電荷平衡,在擊穿狀態(tài)下,完全耗盡。DeepTrench工藝,由于Pillar柱一次形成,無法對Pillar濃度做調(diào)整。 而多層外延技術(shù),則可以分步進行調(diào)整,使器件的魯棒性更強,更寬的SOA區(qū)間,具有優(yōu)異的EMI及抗浪涌能力,性能更加穩(wěn)定。 主要應(yīng)用于電子產(chǎn)品充電器,LED照明,車載OBC,充電樁,光伏逆變,DC-DC電源等行業(yè)。
SGT MOS系列:
安海半導(dǎo)體為客戶提供了豐富的低壓MOSFET產(chǎn)品,采用先進的 SGT MOS技術(shù),極低的 FOM[RDS(on)xQg] 實現(xiàn)了低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗,便于客戶提高產(chǎn)品效率,做到更高的功率密度。優(yōu)秀的EAS和SOA參數(shù)便于客戶產(chǎn) 品適應(yīng)不同的負(fù)載應(yīng)用。-40°C-150°C的工作結(jié)溫,便于客戶產(chǎn)品在不同工作環(huán)境溫度的應(yīng)用。
IGBT系列:
安海半導(dǎo)體可提供大電流系列的IGBT產(chǎn)品,產(chǎn)品工作頻率覆蓋20?50KHZ的應(yīng)用,具備靜動態(tài)損耗低、短路耐受力強的特點, 可靠性高。產(chǎn)品優(yōu)勢:更窄的mesa設(shè)計,更優(yōu)化的溝槽組合設(shè)計,更高的可靠性設(shè)計,嚴(yán)格參照車規(guī)級要求。 產(chǎn)品性能:更快的開關(guān)速度,應(yīng)用頻率達60KHz,更高的電流密度,可達400A/cm-2。 產(chǎn)品應(yīng)用:OBC、充電樁、焊機、開關(guān)電源、光伏逆變器、儲能等。

L7805CV-DG/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.5401 | |
AMS1117-3.3/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.1237 | |
BAT54C,215/肖特基二極管 | 0.0335 | |
LM358DR2G/運算放大器 | 0.345 | |
CJ431/電壓基準(zhǔn)芯片 | 0.1147 | |
LM393DR2G/比較器 | 0.3153 | |
ADUM4160BRWZ-RL/隔離式USB芯片 | 31.6 | |
REF3012AIDBZR/電壓基準(zhǔn)芯片 | 0.9357 | |
SS8050/三極管(BJT) | 0.035 | |
8S005/錫膏/錫漿 | 17.67 |
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