鎂光宣布第二代高帶寬DRAM即將出貨
2020-03-30 18:23:23閱讀量:472
導(dǎo)讀:在最新財報中,鎂光科技(Micron Technologies)宣布旗下第二代高帶寬存儲器(HBM2)即將開始出貨。HBM2主要用于高性能顯卡、服務(wù)器處理器以及各種高端處理器中,是相對昂貴但市場緊需的解決方案。
近日,鎂光公布了第二代高帶寬存儲器(HBM2)的細(xì)節(jié),達(dá)到了每堆8個裸晶及每針傳輸速度高達(dá)2GT/s的高性能,還有256GB/s的內(nèi)存帶寬及上至8GB的運行內(nèi)存。業(yè)界預(yù)測第二代高帶寬存儲器對高性能顯卡、服務(wù)器、高端處理器等應(yīng)用領(lǐng)域至關(guān)重要。
早在2016年1月19日,三星集團(tuán)就宣布進(jìn)入大量生產(chǎn)第二代高帶寬存儲器的早期階段,每堆擁有高達(dá)8GB的運行內(nèi)存。SK海力士同時宣布于2016年8月發(fā)布4GB版本的運行內(nèi)存。而伴隨著鎂光的即將出貨,存儲器市場將會再次形成三雄割據(jù)的場面。
此前,鎂光的開發(fā)重心都放在專有的混合存儲多維數(shù)據(jù)集(HMC)DRAM類型上,不過這種類型的DRAM并沒有獲得太多對客戶的吸引力,僅僅再少數(shù)稀有產(chǎn)品上使用過,比如2015年在富士通PRIMEHPC FX100超級計算機(jī)中使用的富士通SPARC64 XIfx CPU。
于是,鎂光隨后宣布2018年暫停HMC的工作,并決定致力于GDDR6和HBM的開發(fā)。因此他們將會在今年的某個時候發(fā)布搭載HBM2 DRAM的產(chǎn)品。
現(xiàn)在,第二代高帶寬存儲器(HBM2)如期面世,會帶給業(yè)界怎樣的驚喜呢?

L7805CV-DG/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.5401 | |
AMS1117-3.3/線性穩(wěn)壓器(LDO) | 0.1237 | |
BAT54C,215/肖特基二極管 | 0.0335 | |
LM358DR2G/運算放大器 | 0.345 | |
CJ431/電壓基準(zhǔn)芯片 | 0.1147 | |
LM393DR2G/比較器 | 0.3153 | |
ADUM4160BRWZ-RL/隔離式USB芯片 | 31.6 | |
REF3012AIDBZR/電壓基準(zhǔn)芯片 | 0.9357 | |
SS8050/三極管(BJT) | 0.035 | |
8S005/錫膏/錫漿 | 17.67 |
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