導(dǎo)語：2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開發(fā)出采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。

2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開發(fā)出采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM，也表示 1c nm 工藝將用于多款其它 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品。

SK海力士以 1b DRAM 平臺擴展的方式開發(fā)了 1c 工藝。SK 海力士的技術(shù)團隊認為這樣不僅可以減少工藝高度化過程中可能產(chǎn)生的嘗試錯誤，還可以最有效地將業(yè)界內(nèi)憑最高性能 DRAM 受到認可的 SK 海力士 1b 工藝優(yōu)勢轉(zhuǎn)移到 1c 工藝。而且，SK 海力士在部分EUV工藝中開發(fā)并適用了新材料，也在整個工藝中針對EUV適用工藝進行了優(yōu)化，由此確保了成本競爭力。與此同時，在1c工藝上也進行了設(shè)計技術(shù)革新，與前一代1b工藝相比，其生產(chǎn)率提高了30%以上。

來源IT之家

據(jù)IT之家報道，此次1c DDR5 DRAM 將主要用于高性能數(shù)據(jù)中心，其運行速度為 8Gbps（每秒 8 千兆比特），與前一代相比速度提高了 11%。另外，能效也提高了 9% 以上。隨著 AI 時代的到來，數(shù)據(jù)中心的耗電量在繼續(xù)增加，如果運營云服務(wù)的全球客戶將 SK 海力士 1c DRAM 采用到數(shù)據(jù)中心，公司預(yù)測其電費最高能減少 30%。

SK 海力士 DRAM 開發(fā)擔(dān)當(dāng)副社長金鍾煥在新聞稿中表示：“1c 工藝技術(shù)兼?zhèn)渲罡咝阅芎统杀靖偁幜?，公司將其?yīng)用于新一代 HBM、LPDDR6、GDDR7 等最先進 DRAM 主力產(chǎn)品群，由此為客戶提供差別化的價值。今后公司也將堅守 DRAM 市場的領(lǐng)導(dǎo)力，鞏固最受客戶信賴的 AI 用存儲器解決方案企業(yè)的地位?！?/span>