導讀：近日據(jù)快科技報道，英特爾CEO基辛格接受媒體采訪，特別提到了Intel在EUV光刻工藝上的選擇錯誤。

  

圖：ASML光刻機

最近幾年，臺積電及三星在半導體工藝上超越了Intel，后者在14nm節(jié)點之前都是全球最先進的半導體公司，然而在10nm節(jié)點面臨各種困難，給了對手可乘之機。那么，Intel在這個過程中是如何被超越的呢？

英特爾CEO基辛格稱，在EUV技術(shù)研發(fā)上，Intel是全球重要推手，ASML研發(fā)EUV光刻機也得到了Intel的不少幫助，但是Intel在10nm節(jié)點沒有選擇EUV光刻，而是嘗試了新的SAQP四重曝光技術(shù)，它們的目標是不依賴EUV光刻機也能生產(chǎn)先進工藝。

基辛格表示，當初這個目標是很好的，然而SAQP曝光工藝非常復雜，成本高，隨著時間的推移，Intel站在了EUV錯誤的一邊，基辛格表示當時應該至少有一個并行的EUV戰(zhàn)略才對。

基辛格所說的這個事其實就是過去幾年中Intel在10nm工藝上多次跳票的關(guān)鍵，這兩年才算是搞定了10nm工藝的量產(chǎn)，現(xiàn)在改名為Intel 7工藝。

至于EUV工藝，Intel現(xiàn)在也重視起來了，跟ASML的合作很好，今年底量產(chǎn)的Intel 4工藝就是Intel首個EUV工藝，用于首發(fā)量產(chǎn)14代酷睿Meteor Lake，明年上市。