英特爾CEO:首款1.8nm芯片將在年內流片
2022-09-28 17:52:26閱讀量:757來源:英特爾
導讀:在9月28日凌晨舉行的英特爾創(chuàng)新大會上,CEO基辛格強調摩爾定律不會死,還會活得很好,他們將在4年內搞定5代CPU工藝,包括年內將完成首款18A工藝芯片的流片。
圖:英特爾
根據(jù)英特爾介紹,這五代工藝分別是Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A及Intel 18A,其中Intel 7就是去年底12代酷睿上首發(fā)的工藝,13代酷睿也會繼續(xù)用,明年則會升級Intel 4,首次支持EUV光刻工藝。
不過Intel真正在工藝上再次領先的是20A及18A兩代工藝,從20A開始進入埃米級節(jié)點,放棄FinFET晶體管,改用GAA晶體管,相當于友商的2nm、1.8nm水平。
同時Intel也會在20A、18A上首發(fā)兩大突破性技術,也就是RibbonFET和PowerVia,其中RibbonFET是Intel對Gate All Around晶體管的實現(xiàn),它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個全新晶體管架構。PowerVia是Intel獨有的、業(yè)界首個背面電能傳輸網(wǎng)絡,通過消除晶圓正面供電布線需求來優(yōu)化信號傳輸。
在這次創(chuàng)新大會上,Intel CEO基辛格還透露了18A工藝的最新進展,今年底將會有首款芯片流片,雖然他沒有提及具體的芯片型號,但能夠走到流片這一步,意味著Intel的“1.8nm”工藝已經(jīng)有相當高的成熟度了。
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