導讀：5月8日，AC-DC電源大廠Power Integrations（PI）宣布，將收購垂直氮化鎵（GaN）晶體管技術(shù)開發(fā)商Odyssey Semiconductor Technologies（奧德賽半導體技術(shù)）的資產(chǎn)。

圖：PI

據(jù)公告，這項交易預計將于2024年7月完成，屆時Odyssey的所有關(guān)鍵員工都將加入PI的技術(shù)部門。

PI稱，此次收購將為PI公司專有的PowiGaN技術(shù)的持續(xù)開發(fā)提供有力支持。PowiGaN技術(shù)已廣泛應用于該公司的眾多產(chǎn)品系列，包括InnoSwitch IC、HiperPFS-5功率因數(shù)校正IC以及最近推出的InnoMux-2系列單級多路輸出IC。該公司已于2023年推出900V和1250V版本的PowiGaN技術(shù)和產(chǎn)品。

PI技術(shù)副總裁Radu Barsan表示：“自2018年開始交付采用PowiGaN技術(shù)產(chǎn)品后，Power Integrations正在實施一項宏偉的產(chǎn)品研發(fā)路線，即實現(xiàn)與硅MOSFET成本持平的耐壓及功率能力均得到提高的PowiGaN產(chǎn)品。公司目標是利用氮化鎵相對于碳化硅根本上的材料優(yōu)勢，以更低的成本和更高的性能將高電流、高電壓氮化鎵技術(shù)商業(yè)化，以支持目前由碳化硅（SiC）所涵蓋的更高功率的應用。Odyssey團隊在高電流垂直氮化鎵方面的經(jīng)驗將增強并推進這些工作的進展?！?/span>

據(jù)悉，半導體器件設計和代工商Odyssey成立于2019年，專注基于專有的氮化鎵處理技術(shù)開發(fā)高壓功率開關(guān)元件和系統(tǒng)。今年3月，Odyssey同意以952萬美元出售其資產(chǎn)，然后解散。

Odyssey擁有一座面積為1萬平方英尺的半導體晶圓制造廠，配備了一定比例的1000級和10000級潔凈空間以及先進半導體開發(fā)和生產(chǎn)工具。該公司一直致力于推出工作在650V和1200V的垂直氮化鎵場效應晶體管。