導(dǎo)讀：Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，公司現(xiàn)推出業(yè)界領(lǐng)先的1200V 碳化硅(SiC) MOSFET，采用D²PAK-7 表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ R_Dson 值可供選擇。

這是繼 Nexperia 于 2023 年底發(fā)布兩款采用 3 引腳和 4 引腳 TO-247 封裝的 SiC MOSFET 分立器件之后的又一新產(chǎn)品，它將使其 SiC MOSFET 產(chǎn)品組合迅速擴(kuò)展到包括 R_Dson 值為 17、30、40、60 和 80 mΩ 且封裝靈活的器件。 

隨著 NSF0xx120D7A0 的發(fā)布，Nexperia 正在滿足市場(chǎng)對(duì)采用 D²PAK-7 等 SMD 封裝的高性能 SiC 開(kāi)關(guān)日益增長(zhǎng)的需求，這種開(kāi)關(guān)在電動(dòng)汽車(EV)充電（充電樁）、不間斷電源(UPS)以及太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)逆變器等各種工業(yè)應(yīng)用中越來(lái)越受歡迎。這也進(jìn)一步證明了 Nexperia 與三菱電機(jī)公司(MELCO)之間成功的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，兩家公司聯(lián)手將 SiC 寬帶隙半導(dǎo)體的能效和電氣性能推向了新的高度，同時(shí)還提高了該技術(shù)的未來(lái)生產(chǎn)能力，以滿足不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。

R_Dson 是 SiC MOSFET 的一個(gè)關(guān)鍵性能參數(shù)，因?yàn)樗鼤?huì)影響傳導(dǎo)功率損耗。然而，許多制造商只關(guān)注標(biāo)稱值，而忽略了一個(gè)事實(shí)，即隨著設(shè)備工作溫度的升高，R_Dson 相比室溫下的標(biāo)稱值可能會(huì)增加 100% 以上，從而造成相當(dāng)大的傳導(dǎo)損耗。Nexperia 發(fā)現(xiàn)這也是造成目前市場(chǎng)上許多 SiC 器件的性能受限的因素之一，新推出的 SiC MOSFET 采用了創(chuàng)新型工藝技術(shù)特性，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的 R_Dson 溫度穩(wěn)定性，在 25℃ 至 175℃ 的工作溫度范圍內(nèi)，R_Dson 的標(biāo)稱值僅增加38%。

嚴(yán)格的閾值電壓 VGS(th) 規(guī)格使這些 MOSFET 分立器件在并聯(lián)時(shí)能夠提供平衡的載流性能。此外，較低的體二極管正向電壓(VSD)有助于提高器件穩(wěn)健性和效率，同時(shí)還能放寬對(duì)續(xù)流操作的死區(qū)時(shí)間要求。